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Conrad

ON Semiconductor FDP22N50N MOSFET 1 Canal N 312.5 W TO-220-3

Photo non contractuelle
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-220-3
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
312.5 W
R(DS)(on)
220 mΩ
EAN :
N° réf. fabricant :
Code produit :
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Points forts & détails

MOSFET

Notre service pour vous

Caractéristiques techniques

Type

FDP22N50N

Type de produit

MOSFET

Boîtier

TO-220-3

Fabricant

ON Semiconductor

Abrév. fab.

OnS

Type

Canal N

I(d)

22 A

UBR DSS

500 V

Puissance (max) P(TOT)

312.5 W

R(DS)(on)

220 mΩ

R(DS)(on) Courant de référence

11 A

Tension de référence R(DS)(on)

10 V

U(GS)(th) max.

5 V

U(GS)(th) Courant de référence max.

250 µA

Q(G)

65 nC

Q(G) Tension de référence

10 V

C(ISS)

3200 pF

Tension de référence C(ISS)

25 V

Température de fonctionnement (min.)

-55 °C

Type de montage

trou traversant

Série

UniFET™

Température de fonctionnement (max.)

+150 °C

Caractéristique du transistor

Standard

U(DSS)

500 V

Canaux

1

Contenu

1 pc(s)

Documents & téléchargements

Conseils d'utilisation et de sécurité

Conseils d'utilisation et de sécurité 1263798 ON Semiconductor FDP22N50N MOSFET 1 Canal N 312.5 W TO-220-3

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