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Points forts & détails
MOSFET
Notre service pour vous
Caractéristiques techniques
- Type
BSS123
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
SOT-23-3
- Fabricant
ON Semiconductor
- Abrév. fab.
OnS
- Type
Canal N
- I(d)
170 mA
- UBR DSS
100 V
- Puissance (max) P(TOT)
360 mW
- R(DS)(on)
6 Ω
- R(DS)(on) Courant de référence
170 mA
- Tension de référence R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
2 V
- U(GS)(th) Courant de référence max.
1 mA
- Q(G)
2.5 nC
- Q(G) Tension de référence
10 V
- C(ISS)
73 pF
- Tension de référence C(ISS)
25 V
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Type de montage
montage en saillie
- Température de fonctionnement (max.)
+150 °C
- Caractéristique du transistor
Porte de niveau logique
- U(DSS)
100 V
- Canaux
1
- Contenu
1 pc(s)
Documents & téléchargements
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 1263073 ON Semiconductor BSS123 MOSFET 1 Canal N 360 mW SOT-23-3
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