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Conrad
Accueil
Composants actifs Semi-conducteurs Transistors à effet de champ MOSFETS

Infineon Technologies IRLZ44NPBF MOSFET 1 HEXFET 110 W TO-220

EAN :
N° réf. fabricant :
Code produit :
Deux composants électroniques noirs rectangulaires, chacun avec trois broches de connexion, disposés côte à côte sur la droite, probablement des transistors.
Photo non contractuelle
Deux composants électroniques noirs rectangulaires, chacun avec trois broches de connexion, disposés côte à côte sur la droite, probablement des transistors.
Photo non contractuelle
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-220
Type
HEXFET
Puissance (max) P(TOT)
110 W
R(DS)(on)
22 mΩ
Fiche technique (PDF)
English
Infineon Technologies
Livraison le Mi., 15. Juli

5317 pièce(s)

Nombre

Min.: 3
Total (CHF 0.83 / pièce(s))
CHF 2.49
excl. TVA 
Livraison gratuite avec

Droit de retour de 14 jours inclus (30 jours avec)

  • Points forts & détails
  • Caractéristiques techniques
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  • Documents & téléchargements
  • Pack souvent acheté ensemble
  • Accessoires

Points forts & détails

MOSFET

Notre service pour vous

Caractéristiques techniques

Type

IRLZ44NPBF

Type de produit

MOSFET

Boîtier

TO-220

Fabricant

Infineon Technologies

Abrév. fab.

INF

Type

HEXFET

I(d)

47 A

UBR DSS

55 V

Puissance (max) P(TOT)

110 W

R(DS)(on)

22 mΩ

R(DS)(on) Courant de référence

25 A

Tension de référence R(DS)(on)

10 V

U(GS)(th) max.

2 V

U(GS)(th) Courant de référence max.

250 µA

Q(G)

48 nC

Q(G) Tension de référence

5 V

C(ISS)

1700 pF

Tension de référence C(ISS)

25 V

Température de fonctionnement (min.)

-55 °C

Type de montage

trou traversant

Série

HEXFET®

Température de fonctionnement (max.)

+175 °C

Caractéristique du transistor

Porte de niveau logique

U(DSS)

55 V

Canaux

1

Contenu

1 pc(s)

Description

55 V/41 A

Variantes(Les prix indiqués sont excl.TVA, frais de port en sus )

U(GS)(th) max.
R(DS)(on) Referenz-Strom
R(DS)(on)
U(DSS)
Leistung (max) P(TOT)
Ausführung
C(ISS)
 
Infineon Technologies IRLZ44NPBF MOSFET 1 HEXFET 110 W TO-220
Infineon Technologies IRLZ44NPBF MOSFET 1 HEXFET 110 W TO-220

162877

 
Ce produit
2 V
25 A
22 mΩ
55 V
110 W
HEXFET
1700 pF
Infineon Technologies IRL2203NPBF MOSFET 1 N-Kanal 180 W TO-220
Infineon Technologies IRL2203NPBF MOSFET 1 N-Kanal 180 W TO-220

162763

 
1 V
60 A
7 mΩ
30 V
180 W
N-Kanal
3290 pF
Infineon Technologies IRL2910PBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220
Infineon Technologies IRL2910PBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220

162767

 
2 V
29 A
26 mΩ
100 V
200 W
N-Kanal
3700 pF
Infineon Technologies IRL3705NPBF MOSFET 1 N-Kanal 170 W TO-220
Infineon Technologies IRL3705NPBF MOSFET 1 N-Kanal 170 W TO-220

162784

 
2 V
46 A
10 mΩ
55 V
170 W
N-Kanal
3600 pF
Infineon Technologies IRL3803PBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220
Infineon Technologies IRL3803PBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220

162786

 
1 V
71 A
6 mΩ
30 V
200 W
N-Kanal
5000 pF
Infineon Technologies IRL530NPBF MOSFET 1 N-Kanal 79 W TO-220
Infineon Technologies IRL530NPBF MOSFET 1 N-Kanal 79 W TO-220

162795

 
2 V
9 A
100 mΩ
100 V
79 W
N-Kanal
800 pF
Infineon Technologies IRL540NPBF MOSFET 1 N-Kanal 140 W TO-220
Infineon Technologies IRL540NPBF MOSFET 1 N-Kanal 140 W TO-220

162798

 
2 V
18 A
44 mΩ
100 V
140 W
N-Kanal
1800 pF
Infineon Technologies IRLI540NPBF MOSFET 1 N-Kanal 54 W TO-220
Infineon Technologies IRLI540NPBF MOSFET 1 N-Kanal 54 W TO-220

162814

 
2 V
12 A
44 mΩ
100 V
54 W
N-Kanal
1800 pF
Infineon Technologies IRLIZ44NPBF MOSFET 1 N-Kanal 45 W TO-220
Infineon Technologies IRLIZ44NPBF MOSFET 1 N-Kanal 45 W TO-220

162818

 
2 V
17 A
22 mΩ
55 V
45 W
N-Kanal
1700 pF
Infineon Technologies IRLZ34NPBF MOSFET 1 HEXFET 68 W TO-220
Infineon Technologies IRLZ34NPBF MOSFET 1 HEXFET 68 W TO-220

162873

 
2 V
16 A
35 mΩ
55 V
68 W
HEXFET
880 pF

Documents & téléchargements

Fiche technique

English

Fiche technique 162877 Infineon Technologies IRLZ44NPBF MOSFET 1 HEXFET 110 W TO-220

Conseils d'utilisation et de sécurité

Conseils d'utilisation et de sécurité 162877 Infineon Technologies IRLZ44NPBF MOSFET 1 HEXFET 110 W TO-220

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