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Conrad

Infineon Technologies IRF3205 MOSFET 1 Canal N 200 W TO-220AB

Photo non contractuelle
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-220AB
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
8 mΩ
Fiche technique (PDF)
EAN :
N° réf. fabricant :
Code produit :
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Points forts & détails

MOSFET

Notre service pour vous

Caractéristiques techniques

Type

IRF3205

Type de produit

MOSFET

Boîtier

TO-220AB

Fabricant

Infineon Technologies

Abrév. fab.

INF

Type

Canal N

I(d)

110 A

UBR DSS

55 V

Puissance (max) P(TOT)

200 W

R(DS)(on)

8 mΩ

R(DS)(on) Courant de référence

62 A

Tension de référence R(DS)(on)

10 V

U(GS)(th) max.

4 V

U(GS)(th) Courant de référence max.

250 µA

Q(G)

146 nC

Q(G) Tension de référence

10 V

C(ISS)

3247 pF

Tension de référence C(ISS)

25 V

Température de fonctionnement (min.)

-55 °C

Type de montage

montage en saillie

Série

HEXFET®

Température de fonctionnement (max.)

+175 °C

Caractéristique du transistor

Standard

U(DSS)

55 V

Canaux

1

Contenu

1 pc(s)

Description

55 V/110 A

Documents & téléchargements

Fiche technique

Fiche technique 158712 Infineon Technologies IRF3205 MOSFET 1 Canal N 200 W TO-220AB

Conseils d'utilisation et de sécurité

Conseils d'utilisation et de sécurité 158712 Infineon Technologies IRF3205 MOSFET 1 Canal N 200 W TO-220AB

Description

Un transistor MOSFET est un composant à commande par tension et peut être connecté directement à une source à impédance élevée. Il peut donc servir d'interrupteur ou d'amplificateur analogique. Ce transistor est compatible avec µC, TTL et CMOS. Remarque: Fabricant SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.

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