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Conrad
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Composants actifs Semi-conducteurs Transistors à effet de champ MOSFETS

ON Semiconductor BUZ11-NR4941 MOSFET 1 Canal N 75 W TO-220-3

EAN :
N° réf. fabricant :
Code produit :
Deux composants électroniques, de forme similaire, avec trois bornes et un boîtier rectangulaire. Probablement des transistors ou des composants analogues.
Photo non contractuelle
Deux composants électroniques, de forme similaire, avec trois bornes et un boîtier rectangulaire. Probablement des transistors ou des composants analogues.
Photo non contractuelle
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-220-3
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
75 W
R(DS)(on)
40 mΩ
ON Semiconductor
Livraison le Do., 17. Sept.

352 pièce(s)

Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (excl. TVA)
2
-
CHF 1.25
6
8% = CHF 0.10
CHF 1.15
10
11% = CHF 0.14
CHF 1.11
20
14% = CHF 0.17
CHF 1.08
40
16% = CHF 0.20
CHF 1.05
80
18% = CHF 0.23
CHF 1.02
200
22% = CHF 0.27
CHF 0.98
Les remises sur volume varient selon les vendeurs
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Points forts & détails

MOSFET

Notre service pour vous

Caractéristiques techniques

Type

BUZ11-NR4941

Type de produit

MOSFET

Boîtier

TO-220-3

Fabricant

ON Semiconductor

Abrév. fab.

OnS

Type

Canal N

I(d)

30 A

UBR DSS

50 V

Puissance (max) P(TOT)

75 W

R(DS)(on)

40 mΩ

R(DS)(on) Courant de référence

15 A

Tension de référence R(DS)(on)

10 V

U(GS)(th) max.

4 V

U(GS)(th) Courant de référence max.

1 mA

C(ISS)

2000 pF

Tension de référence C(ISS)

25 V

Température de fonctionnement (min.)

-55 °C

Type de montage

trou traversant

Température de fonctionnement (max.)

+150 °C

Caractéristique du transistor

Standard

U(DSS)

50 V

Canaux

1

Contenu

1 pc(s)

Variantes(Les prix indiqués sont excl.TVA, frais de port en sus )

Gehäuse
U(GS)(th) max.
R(DS)(on) Referenz-Strom
R(DS)(on)
U(DSS)
Leistung (max) P(TOT)
Ausführung
C(ISS)
Montageart
 
ON Semiconductor BUZ11-NR4941 MOSFET 1 N-Kanal 75 W TO-220-3
ON Semiconductor BUZ11-NR4941 MOSFET 1 N-Kanal 75 W TO-220-3

1263085

 
Ce produit
TO-220-3
4 V
15 A
40 mΩ
50 V
75 W
N-Kanal
2000 pF
Durchführungsloch
ON Semiconductor 2N7000TA MOSFET 1 N-Kanal 400 mW TO-92-3
ON Semiconductor 2N7000TA MOSFET 1 N-Kanal 400 mW TO-92-3

1262890

 
TO-92-3
3 V
500 mA
5 Ω
60 V
400 mW
N-Kanal
50 pF
Durchführungsloch
ON Semiconductor 2N7002K MOSFET 1 N-Kanal 350 mW SOT-23-3
ON Semiconductor 2N7002K MOSFET 1 N-Kanal 350 mW SOT-23-3

1262893

 
SOT-23-3
2.5 V
500 mA
2 Ω
60 V
350 mW
N-Kanal
50 pF
Oberflächenmontage
ON Semiconductor 2N7002 MOSFET 1 N-Kanal 350 mW SOT-23-3
ON Semiconductor 2N7002 MOSFET 1 N-Kanal 350 mW SOT-23-3

1262896

 
SOT-23-3
2.5 V
500 mA
5 Ω
60 V
350 mW
N-Kanal
50 pF
Oberflächenmontage
ON Semiconductor BS170-D27Z MOSFET 1 N-Kanal 830 mW TO-92-3
ON Semiconductor BS170-D27Z MOSFET 1 N-Kanal 830 mW TO-92-3

1263060

 
TO-92-3
3 V
200 mA
5 Ω
60 V
830 mW
N-Kanal
40 pF
Durchführungsloch
ON Semiconductor BS170_D75Z MOSFET 1 N-Kanal 830 mW TO-92-3
ON Semiconductor BS170_D75Z MOSFET 1 N-Kanal 830 mW TO-92-3

1263061

 
TO-92-3
3 V
200 mA
5 Ω
60 V
830 mW
N-Kanal
40 pF
Durchführungsloch
ON Semiconductor BSS123 MOSFET 1 N-Kanal 360 mW SOT-23-3
ON Semiconductor BSS123 MOSFET 1 N-Kanal 360 mW SOT-23-3

1263073

 
SOT-23-3
2 V
170 mA
6 Ω
100 V
360 mW
N-Kanal
73 pF
Oberflächenmontage
ON Semiconductor BSS138 MOSFET 1 360 mW SOT-23-3
ON Semiconductor BSS138 MOSFET 1 360 mW SOT-23-3

1263075

 
SOT-23-3
220 mA
3.5 Ω
50 V
360 mW
27 pF
Oberflächenmontage
ON Semiconductor FCH041N60F MOSFET 1 N-Kanal 595 W TO-247-3
ON Semiconductor FCH041N60F MOSFET 1 N-Kanal 595 W TO-247-3

1263216

 
TO-247-3
5 V
38 A
41 mΩ
600 V
595 W
N-Kanal
14365 pF
Durchführungsloch
ON Semiconductor FCH072N60F MOSFET 1 N-Kanal 481 W TO-247-3
ON Semiconductor FCH072N60F MOSFET 1 N-Kanal 481 W TO-247-3

1263217

 
TO-247-3
5 V
26 A
72 mΩ
600 V
481 W
N-Kanal
8660 pF
Durchführungsloch

Documents & téléchargements

Conseils d'utilisation et de sécurité

Conseils d'utilisation et de sécurité 1263085 ON Semiconductor BUZ11-NR4941 MOSFET 1 Canal N 75 W TO-220-3

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