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Conrad
Accueil
Composants actifs Semi-conducteurs Transistors à effet de champ MOSFETS

ON Semiconductor FDC604P MOSFET 1 Canal P 800 mW SOT-23-6

EAN :
N° réf. fabricant :
Code produit :
Deux circuits intégrés noirs à six broches, typiques des composants électroniques sur les cartes de circuits imprimés.
Photo non contractuelle
Deux circuits intégrés noirs à six broches, typiques des composants électroniques sur les cartes de circuits imprimés.
Photo non contractuelle
Type de produit
MOSFET
Boîtier
SOT-23-6
Type
Canal P
Puissance (max) P(TOT)
800 mW
R(DS)(on)
33 mΩ
ON Semiconductor
Livraison le jeu. 17 septembre

26 pièce(s)

Nombre

Min.: 5
Total (CHF 0.56 / pièce(s))
CHF 2.80
excl. TVA 
Livraison gratuite avec

Droit de retour de 14 jours inclus (30 jours avec)

  • Points forts & détails
  • Caractéristiques techniques
  • Variantes
  • Documents & téléchargements
  • Pack souvent acheté ensemble
  • Accessoires

Points forts & détails

MOSFET

Notre service pour vous

Caractéristiques techniques

Type

FDC604P

Type de produit

MOSFET

Boîtier

SOT-23-6

Fabricant

ON Semiconductor

Abrév. fab.

OnS

Type

Canal P

I(d)

5.5 A

UBR DSS

20 V

Puissance (max) P(TOT)

800 mW

R(DS)(on)

33 mΩ

R(DS)(on) Courant de référence

5.5 A

Tension de référence R(DS)(on)

4.5 V

U(GS)(th) max.

1.5 V

U(GS)(th) Courant de référence max.

250 µA

Q(G)

30 nC

Q(G) Tension de référence

4.5 V

C(ISS)

1926 pF

Tension de référence C(ISS)

10 V

Température de fonctionnement (min.)

-55 °C

Type de montage

montage en saillie

Série

PowerTrench®

Température de fonctionnement (max.)

+150 °C

Caractéristique du transistor

Porte de niveau logique

U(DSS)

20 V

Canaux

1

Contenu

1 pc(s)

Variantes(Les prix indiqués sont excl.TVA, frais de port en sus )

Gehäuse
U(GS)(th) max.
R(DS)(on) Referenz-Strom
R(DS)(on)
U(DSS)
Leistung (max) P(TOT)
Ausführung
C(ISS)
Montageart
 
ON Semiconductor FDC604P MOSFET 1 P-Kanal 800 mW SOT-23-6
ON Semiconductor FDC604P MOSFET 1 P-Kanal 800 mW SOT-23-6

1263343

 
Ce produit
SOT-23-6
1.5 V
5.5 A
33 mΩ
20 V
800 mW
P-Kanal
1926 pF
Oberflächenmontage
ON Semiconductor 2N7000TA MOSFET 1 N-Kanal 400 mW TO-92-3
ON Semiconductor 2N7000TA MOSFET 1 N-Kanal 400 mW TO-92-3

1262890

 
TO-92-3
3 V
500 mA
5 Ω
60 V
400 mW
N-Kanal
50 pF
Durchführungsloch
ON Semiconductor 2N7002K MOSFET 1 N-Kanal 350 mW SOT-23-3
ON Semiconductor 2N7002K MOSFET 1 N-Kanal 350 mW SOT-23-3

1262893

 
SOT-23-3
2.5 V
500 mA
2 Ω
60 V
350 mW
N-Kanal
50 pF
Oberflächenmontage
ON Semiconductor 2N7002 MOSFET 1 N-Kanal 350 mW SOT-23-3
ON Semiconductor 2N7002 MOSFET 1 N-Kanal 350 mW SOT-23-3

1262896

 
SOT-23-3
2.5 V
500 mA
5 Ω
60 V
350 mW
N-Kanal
50 pF
Oberflächenmontage
ON Semiconductor BS170-D27Z MOSFET 1 N-Kanal 830 mW TO-92-3
ON Semiconductor BS170-D27Z MOSFET 1 N-Kanal 830 mW TO-92-3

1263060

 
TO-92-3
3 V
200 mA
5 Ω
60 V
830 mW
N-Kanal
40 pF
Durchführungsloch
ON Semiconductor BS170_D75Z MOSFET 1 N-Kanal 830 mW TO-92-3
ON Semiconductor BS170_D75Z MOSFET 1 N-Kanal 830 mW TO-92-3

1263061

 
TO-92-3
3 V
200 mA
5 Ω
60 V
830 mW
N-Kanal
40 pF
Durchführungsloch
ON Semiconductor BSS123 MOSFET 1 N-Kanal 360 mW SOT-23-3
ON Semiconductor BSS123 MOSFET 1 N-Kanal 360 mW SOT-23-3

1263073

 
SOT-23-3
2 V
170 mA
6 Ω
100 V
360 mW
N-Kanal
73 pF
Oberflächenmontage
ON Semiconductor BSS138 MOSFET 1 360 mW SOT-23-3
ON Semiconductor BSS138 MOSFET 1 360 mW SOT-23-3

1263075

 
SOT-23-3
220 mA
3.5 Ω
50 V
360 mW
27 pF
Oberflächenmontage
ON Semiconductor BUZ11-NR4941 MOSFET 1 N-Kanal 75 W TO-220-3
ON Semiconductor BUZ11-NR4941 MOSFET 1 N-Kanal 75 W TO-220-3

1263085

 
TO-220-3
4 V
15 A
40 mΩ
50 V
75 W
N-Kanal
2000 pF
Durchführungsloch
ON Semiconductor FCH041N60F MOSFET 1 N-Kanal 595 W TO-247-3
ON Semiconductor FCH041N60F MOSFET 1 N-Kanal 595 W TO-247-3

1263216

 
TO-247-3
5 V
38 A
41 mΩ
600 V
595 W
N-Kanal
14365 pF
Durchführungsloch

Documents & téléchargements

Conseils d'utilisation et de sécurité

Conseils d'utilisation et de sécurité 1263343 ON Semiconductor FDC604P MOSFET 1 Canal P 800 mW SOT-23-6

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