Infineon Technologies IRF8313PBF-GURT MOSFET 1 Canal N 2.0 W SO-8
EAN :
N° réf. fabricant :
Code produit :
Type de produit
MOSFET
Boîtier
SO-8
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.0155 Ω
Fiche technique (PDF)
21 pièce(s)
Nombre
Min.: 3
Multiples: 1
Total (CHF 0.84218 / pièce(s))
CHF 2.53
Prix TVA incl.
Livraison gratuite avec
Droit de retour de 14 jours inclus (30 jours avec)
Points forts & détails
MOSFET
Notre service pour vous
Caractéristiques techniques
- Type
IRF8313PBF-GURT
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
SO-8
- Fabricant
Infineon Technologies
- Type
Canal N
- I(d)
9.7 A
- UBR DSS
30 V
- Puissance (max) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.0155 Ω
- Type de montage
montage en saillie
- Canaux
1
- Contenu
1 pc(s)
Documents & téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 3026258 Infineon Technologies IRF8313PBF-GURT MOSFET 1 Canal N 2.0 W SO-8
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 3026258 Infineon Technologies IRF8313PBF-GURT MOSFET 1 Canal N 2.0 W SO-8
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