Littelfuse IXYQ40N65B3D1 Transistor IGBT TO-3PU 650 V Tube
EAN :
N° réf. fabricant :
Code produit :
Type d'emballage
Tube
Type de produit
Transistor IGBT
Boîtier
TO-3PU
Courant du collecteur CI
86 A
Type
IXYQ40N65B3D1
Nombre
Min.: 30
Multiples: 30
Total (CHF 8.40 / pièce(s))
CHF 252.00
Prix TVA incl.
Livraison gratuite
Droit de retour de 14 jours inclus (30 jours avec)
Points forts & détails
Transistor IGBT
- Littelfuse IXYQ40N65B3D1
- Contenu: 1 pc(s)
Notre service pour vous
Caractéristiques techniques
- Type de boîtier : TO-3PU
- Vces - émetteur collecteur tension (V) : 650 V.
- Courant du collecteur @ 25 ℃ (A) : 86 A.
- VCE(sat) - émetteur de collecteur de tension de Saturation (V) : 2 V.
- Temps de chute [charge inductive] (ns) : 73 ns
- Configuration : Copack (Fred)
- Résistance thermique [boîtier de raccordement] [IGBT] (K/W) : 0,5 K/W
- Courant du collecteur @ 110 ℃ (A) : 40 A.
- Résistance thermique [boîtier de raccordement] [diode] (K/W) : 0,6 K/W
- Courant direct @ 110 ℃ (A) : 50 A.
- Turn-off Energy @ 150 ℃ (MJ) : 1.15 MJ
- Type d'emballage
Tube
- Type
IXYQ40N65B3D1
- Type de produit
Transistor IGBT
- Boîtier
TO-3PU
- Fabricant
Littelfuse
- Tension de blocage de l'émetteur du collecteur U(CES)
650 V
- Courant du collecteur CI
86 A
- Saturation VCE (max.)
2 V
Documents & téléchargements
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 2960967 Littelfuse IXYQ40N65B3D1 Transistor IGBT TO-3PU 650 V Tube
Accessoires
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