Infineon Technologies IGD06N60TATMA1 Transistor IGBT TO-252 600 V Bande sur bobine complète
EAN :
N° réf. fabricant :
Code produit :
Type d'emballage
Bande sur bobine complète
Type de produit
Transistor IGBT
Boîtier
TO-252
Courant du collecteur CI
12 A
Type de montage
montage en saillie
Fiche technique (PDF)
4180 pièce(s)
Nombre
Min.: 5
Multiples: 5
Tape on Full reel
pièce(s) (Contenu : )
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Points forts & détails
Transistor IGBT
- Infineon Technologies
- Contenu: 1 pc(s)
Notre service pour vous
Caractéristiques techniques
- (UGE(th)) tension de seuil : 4,6 V.
- Courant collecteur pulsé (ICpuls) : 18 A.
- Type d'emballage
Bande sur bobine complète
- Type
IGD06N60TATMA1
- Type de produit
Transistor IGBT
- Boîtier
TO-252
- Fabricant
Infineon Technologies
- Tension de blocage de l'émetteur du collecteur U(CES)
600 V
- Courant du collecteur CI
12 A
- Temps de retard au démarrage t (d) (on)
9 ns
- Temps de retard de mise à l'arrêt t(d) (off) (2)
130 ns
- Type de montage
montage en saillie
Documents & téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 3027164 Infineon Technologies IGD06N60TATMA1 Transistor IGBT TO-252 600 V Bande sur bobine complète
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 3027164 Infineon Technologies IGD06N60TATMA1 Transistor IGBT TO-252 600 V Bande sur bobine complète