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Infineon Technologies IKW30N65ES5XKSA1 Transistor IGBT TO-247 650 V Tube
EAN :
N° réf. fabricant :
Code produit :
Type d'emballage
Tube
Type de produit
Transistor IGBT
Boîtier
TO-247
Courant du collecteur CI
62 A
Type de montage
trou traversant
Fiche technique (PDF)
10 pièce(s)
Nombre
Min.: 5
Multiples: 5
Total (CHF 3.28 / pièce(s))
CHF 16.40
excl. TVA
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Points forts & détails
Transistor IGBT
- Infineon Technologies
- Contenu: 1 pc(s)
Notre service pour vous
Caractéristiques techniques
- (UGE(th)) tension de seuil de l'émetteur de porte : 4,0 V.
- Courant collecteur pulsé (ICpuls) : 120 A.
- Type d'emballage
Tube
- Type
IKW30N65ES5XKSA1
- Type de produit
Transistor IGBT
- Boîtier
TO-247
- Fabricant
Infineon Technologies
- Tension de blocage de l'émetteur du collecteur U(CES)
650 V
- Courant du collecteur CI
62 A
- Temps de retard au démarrage t (d) (on)
16 ns
- Temps de retard de mise à l'arrêt t(d) (off) (2)
133 ns
- Type de montage
trou traversant
Documents & téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 3027192 Infineon Technologies IKW30N65ES5XKSA1 Transistor IGBT TO-247 650 V Tube
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 3027192 Infineon Technologies IKW30N65ES5XKSA1 Transistor IGBT TO-247 650 V Tube