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Composants actifs Semi-conducteurs Transistors à effet de champ MOSFETS

Infineon Technologies IRFB4710PBF MOSFET 1 Canal N 3.8 W TO-220AB

EAN :
N° réf. fabricant :
Code produit :
Un boîtier TO-220, un boîtier standard pour composants électroniques avec trois broches métalliques saillantes pour la fixation et l'utilisation.
Photo non contractuelle
Un boîtier TO-220, un boîtier standard pour composants électroniques avec trois broches métalliques saillantes pour la fixation et l'utilisation.
Photo non contractuelle
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-220AB
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
3.8 W
R(DS)(on)
14 mΩ
Fiche technique (PDF)
English
Infineon Technologies
Livraison le Do., 17. Sept.

16 pièce(s)

Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (excl. TVA)
1
-
CHF 1.62
10
8% = CHF 0.13
CHF 1.49
25
12% = CHF 0.19
CHF 1.43
50
13% = CHF 0.21
CHF 1.41
100
16% = CHF 0.26
CHF 1.36
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  • Points forts & détails
  • Caractéristiques techniques
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  • Accessoires

Points forts & détails

MOSFET

Notre service pour vous

Caractéristiques techniques

Type

IRFB4710PBF

Type de produit

MOSFET

Boîtier

TO-220AB

Fabricant

Infineon Technologies

Abrév. fab.

INF

Type

Canal N

I(d)

75 A

UBR DSS

100 V

Puissance (max) P(TOT)

3.8 W

R(DS)(on)

14 mΩ

R(DS)(on) Courant de référence

45 A

Tension de référence R(DS)(on)

10 V

U(GS)(th) max.

5.5 V

U(GS)(th) Courant de référence max.

250 µA

Q(G)

170 nC

Q(G) Tension de référence

10 V

C(ISS)

6160 pF

Tension de référence C(ISS)

25 V

Température de fonctionnement (min.)

-55 °C

Type de montage

trou traversant

Série

HEXFET®

Température de fonctionnement (max.)

+175 °C

Caractéristique du transistor

Standard

U(DSS)

100 V

Canaux

1

Contenu

1 pc(s)

Variantes(Les prix indiqués sont excl.TVA, frais de port en sus )

Gehäuse
U(GS)(th) max.
R(DS)(on) Referenz-Strom
R(DS)(on)
U(DSS)
Leistung (max) P(TOT)
Ausführung
C(ISS)
Montageart
 
Infineon Technologies IRFB4710PBF MOSFET 1 N-Kanal 3.8 W TO-220AB
Infineon Technologies IRFB4710PBF MOSFET 1 N-Kanal 3.8 W TO-220AB

564033

 
Ce produit
TO-220AB
5.5 V
45 A
14 mΩ
100 V
3.8 W
N-Kanal
6160 pF
Durchführungsloch
Infineon Technologies IRF1010ZPBF MOSFET 1 N-Kanal 140 W TO-220AB
Infineon Technologies IRF1010ZPBF MOSFET 1 N-Kanal 140 W TO-220AB

563939

 
TO-220AB
4 V
75 A
7.5 mΩ
55 V
140 W
N-Kanal
2840 pF
Durchführungsloch
Infineon Technologies IRF1104PBF MOSFET 1 N-Kanal 170 W TO-220AB
Infineon Technologies IRF1104PBF MOSFET 1 N-Kanal 170 W TO-220AB

563940

 
TO-220AB
4 V
60 A
9 mΩ
40 V
170 W
N-Kanal
2900 pF
Durchführungsloch
Infineon Technologies IRF5305PBF MOSFET 1 P-Kanal 110 W TO-220AB
Infineon Technologies IRF5305PBF MOSFET 1 P-Kanal 110 W TO-220AB

563967

 
TO-220AB
4 V
16 A
60 mΩ
55 V
110 W
P-Kanal
1200 pF
Durchführungsloch
Infineon Technologies IRF630NPBF MOSFET 1 N-Kanal 82 W TO-220AB
Infineon Technologies IRF630NPBF MOSFET 1 N-Kanal 82 W TO-220AB

563977

 
TO-220AB
4 V
5.4 A
300 mΩ
200 V
82 W
N-Kanal
575 pF
Durchführungsloch
Infineon Technologies IRF8010PBF MOSFET 1 N-Kanal 260 W TO-220AB
Infineon Technologies IRF8010PBF MOSFET 1 N-Kanal 260 W TO-220AB

564010

 
TO-220AB
4 V
45 A
15 mΩ
100 V
260 W
N-Kanal
3830 pF
Durchführungsloch
Infineon Technologies IRFB3006PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220AB
Infineon Technologies IRFB3006PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220AB

564023

 
TO-220AB
4 V
170 A
2.5 mΩ
60 V
375 W
N-Kanal
8970 pF
Durchführungsloch
Infineon Technologies IRFB4127PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220AB
Infineon Technologies IRFB4127PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220AB

564026

 
TO-220AB
5 V
44 A
20 mΩ
200 V
375 W
N-Kanal
5380 pF
Durchführungsloch
Infineon Technologies IRFB4137PBF MOSFET 1 N-Kanal 341 W TO-220-3
Infineon Technologies IRFB4137PBF MOSFET 1 N-Kanal 341 W TO-220-3

564027

 
TO-220-3
5 V
24 A
69 mΩ
300 V
341 W
N-Kanal
5168 pF
Durchführungsloch
Infineon Technologies IRFB4620PBF MOSFET 1 N-Kanal 144 W TO-220AB
Infineon Technologies IRFB4620PBF MOSFET 1 N-Kanal 144 W TO-220AB

564032

 
TO-220AB
5 V
15 A
72.5 mΩ
200 V
144 W
N-Kanal
1710 pF
Durchführungsloch

Documents & téléchargements

Fiche technique

English

Fiche technique 564033 Infineon Technologies IRFB4710PBF MOSFET 1 Canal N 3.8 W TO-220AB

Conseils d'utilisation et de sécurité

Conseils d'utilisation et de sécurité 564033 Infineon Technologies IRFB4710PBF MOSFET 1 Canal N 3.8 W TO-220AB

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