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Conrad
Accueil
Composants actifs Semi-conducteurs Transistors à effet de champ MOSFETS

Infineon Technologies IRFB7434PBF MOSFET 1 Canal N 294 W TO-220

EAN :
N° réf. fabricant :
Code produit :
Deux composants électroniques, de forme similaire, avec trois bornes et un boîtier rectangulaire. Probablement des transistors ou des composants analogues.
Photo non contractuelle
Deux composants électroniques, de forme similaire, avec trois bornes et un boîtier rectangulaire. Probablement des transistors ou des composants analogues.
Photo non contractuelle
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-220
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
294 W
R(DS)(on)
1.6 mΩ
Fiche technique (PDF)
English
Infineon Technologies
Livraison le Do., 17. Sept.

24 pièce(s) (Dans la limite des stocks disponibles)

Nombre

Total (CHF 2.04 / pièce(s))
CHF 2.04
excl. TVA 
Livraison gratuite avec

Droit de retour de 14 jours inclus (30 jours avec)

  • Points forts & détails
  • Caractéristiques techniques
  • Variantes
  • Documents & téléchargements
  • Pack souvent acheté ensemble
  • Accessoires

Points forts & détails

MOSFET

Notre service pour vous

Caractéristiques techniques

Type

IRFB7434PBF

Type de produit

MOSFET

Boîtier

TO-220

Fabricant

Infineon Technologies

Abrév. fab.

INF

Type

Canal N

I(d)

195 A

UBR DSS

40 V

Puissance (max) P(TOT)

294 W

R(DS)(on)

1.6 mΩ

R(DS)(on) Courant de référence

100 A

Tension de référence R(DS)(on)

10 V

U(GS)(th) max.

3.9 V

U(GS)(th) Courant de référence max.

250 µA

Q(G)

324 nC

Q(G) Tension de référence

10 V

C(ISS)

10820 pF

Tension de référence C(ISS)

25 V

Température de fonctionnement (min.)

-55 °C

Type de montage

trou traversant

Série

HEXFET®

StrongIRFET™

Température de fonctionnement (max.)

+175 °C

Caractéristique du transistor

Standard

U(DSS)

40 V

Canaux

1

Contenu

1 pc(s)

Variantes(Les prix indiqués sont excl.TVA, frais de port en sus )

Gehäuse
U(GS)(th) max.
R(DS)(on) Referenz-Strom
R(DS)(on)
U(DSS)
Leistung (max) P(TOT)
Ausführung
C(ISS)
Montageart
 
Infineon Technologies IRFB7434PBF MOSFET 1 N-Kanal 294 W TO-220
Infineon Technologies IRFB7434PBF MOSFET 1 N-Kanal 294 W TO-220

564036

 
Ce produit
TO-220
3.9 V
100 A
1.6 mΩ
40 V
294 W
N-Kanal
10820 pF
Durchführungsloch
Infineon Technologies IRF1010ZPBF MOSFET 1 N-Kanal 140 W TO-220AB
Infineon Technologies IRF1010ZPBF MOSFET 1 N-Kanal 140 W TO-220AB

563939

 
TO-220AB
4 V
75 A
7.5 mΩ
55 V
140 W
N-Kanal
2840 pF
Durchführungsloch
Infineon Technologies IRF1104PBF MOSFET 1 N-Kanal 170 W TO-220AB
Infineon Technologies IRF1104PBF MOSFET 1 N-Kanal 170 W TO-220AB

563940

 
TO-220AB
4 V
60 A
9 mΩ
40 V
170 W
N-Kanal
2900 pF
Durchführungsloch
Infineon Technologies IRF5305PBF MOSFET 1 P-Kanal 110 W TO-220AB
Infineon Technologies IRF5305PBF MOSFET 1 P-Kanal 110 W TO-220AB

563967

 
TO-220AB
4 V
16 A
60 mΩ
55 V
110 W
P-Kanal
1200 pF
Durchführungsloch
Infineon Technologies IRF630NPBF MOSFET 1 N-Kanal 82 W TO-220AB
Infineon Technologies IRF630NPBF MOSFET 1 N-Kanal 82 W TO-220AB

563977

 
TO-220AB
4 V
5.4 A
300 mΩ
200 V
82 W
N-Kanal
575 pF
Durchführungsloch
Infineon Technologies IRF8010PBF MOSFET 1 N-Kanal 260 W TO-220AB
Infineon Technologies IRF8010PBF MOSFET 1 N-Kanal 260 W TO-220AB

564010

 
TO-220AB
4 V
45 A
15 mΩ
100 V
260 W
N-Kanal
3830 pF
Durchführungsloch
Infineon Technologies IRFB3006PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220AB
Infineon Technologies IRFB3006PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220AB

564023

 
TO-220AB
4 V
170 A
2.5 mΩ
60 V
375 W
N-Kanal
8970 pF
Durchführungsloch
Infineon Technologies IRFB4127PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220AB
Infineon Technologies IRFB4127PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220AB

564026

 
TO-220AB
5 V
44 A
20 mΩ
200 V
375 W
N-Kanal
5380 pF
Durchführungsloch
Infineon Technologies IRFB4137PBF MOSFET 1 N-Kanal 341 W TO-220-3
Infineon Technologies IRFB4137PBF MOSFET 1 N-Kanal 341 W TO-220-3

564027

 
TO-220-3
5 V
24 A
69 mΩ
300 V
341 W
N-Kanal
5168 pF
Durchführungsloch
Infineon Technologies IRFB4620PBF MOSFET 1 N-Kanal 144 W TO-220AB
Infineon Technologies IRFB4620PBF MOSFET 1 N-Kanal 144 W TO-220AB

564032

 
TO-220AB
5 V
15 A
72.5 mΩ
200 V
144 W
N-Kanal
1710 pF
Durchführungsloch

Documents & téléchargements

Fiche technique

English

Fiche technique 564036 Infineon Technologies IRFB7434PBF MOSFET 1 Canal N 294 W TO-220

Conseils d'utilisation et de sécurité

Conseils d'utilisation et de sécurité 564036 Infineon Technologies IRFB7434PBF MOSFET 1 Canal N 294 W TO-220

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