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Infineon Technologies IRF8010PBF MOSFET 1 Canal N 260 W TO-220AB
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-220AB
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
260 W
R(DS)(on)
15 mΩ
Fiche technique (PDF)
EAN :
N° réf. fabricant :
Code produit :
Total (CHF 1.65 / pièce(s))
CHF 1.65
Prix TVA incl.
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Points forts & détails
MOSFET
Notre service pour vous
Caractéristiques techniques
- Type
IRF8010PBF
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
TO-220AB
- Fabricant
Infineon Technologies
- Abrév. fab.
INF
- Type
Canal N
- I(d)
80 A
- UBR DSS
100 V
- Puissance (max) P(TOT)
260 W
- R(DS)(on)
15 mΩ
- R(DS)(on) Courant de référence
45 A
- Tension de référence R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Courant de référence max.
250 µA
- Q(G)
120 nC
- Q(G) Tension de référence
10 V
- C(ISS)
3830 pF
- Tension de référence C(ISS)
25 V
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Type de montage
trou traversant
- Série
HEXFET®
- Température de fonctionnement (max.)
+175 °C
- Caractéristique du transistor
Standard
- U(DSS)
100 V
- Canaux
1
- Contenu
1 pc(s)
Documents & téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 564010 Infineon Technologies IRF8010PBF MOSFET 1 Canal N 260 W TO-220AB
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 564010 Infineon Technologies IRF8010PBF MOSFET 1 Canal N 260 W TO-220AB
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