
Droit de retour de 14 jours inclus (30 jours avec)
Points forts & détails
MOSFET Power, canal p.
Notre service pour vous
Caractéristiques techniques
- Type
IRF5210PBF
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
TO-220
- Fabricant
Infineon Technologies
- Abrév. fab.
INF
- Type
Canal P
- I(d)
40 A
- UBR DSS
100 V
- Puissance (max) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
60 mΩ
- R(DS)(on) Courant de référence
24 A
- Tension de référence R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Courant de référence max.
250 µA
- Q(G)
180 nC
- Q(G) Tension de référence
10 V
- C(ISS)
2700 pF
- Tension de référence C(ISS)
25 V
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Type de montage
trou traversant
- Série
HEXFET®
- Température de fonctionnement (max.)
+175 °C
- Caractéristique du transistor
Standard
- U(DSS)
100 V
- Canaux
1
- Contenu
1 pc(s)
- Description
-100 V/-40 A
Documents & téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 162406 Infineon Technologies IRF5210PBF MOSFET 1 Canal P 200 W TO-220
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 162406 Infineon Technologies IRF5210PBF MOSFET 1 Canal P 200 W TO-220
Est souvent acheté ensemble
(*Les prix indiqués sont hors taxe.)CHF 5.40*
MOSFETS fréquemment recherchés:
Accessoires
(*Les prix indiqués sont hors taxe.)L'accessoire nécessaire est impératif pour pouvoir utiliser le produit conformément à la description























![Kemo Power MOSFET & IGBT Transistoren [S106] Jeu de MOSFET/IGBT](https://asset.conrad.com/media10/isa/160267/c1/-/fr/1484608_GB_00_FB/kemo-power-mosfet-igbt-transistoren-s106-jeu-de-mosfet-igbt.jpg?x=130&y=130&format=webp&ex=130&ey=130&align=center)