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Infineon Technologies BSP135H6327 MOSFET 1 Canal N 1.8 W TO-261-4
EAN :
N° réf. fabricant :
Code produit :
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-261-4
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
1.8 W
R(DS)(on)
45 Ω
Fiche technique (PDF)
2411 pièce(s)
Nombre
Min.: 2
Total (CHF 0.65 / pièce(s))
CHF 1.30
Prix TVA incl.
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Points forts & détails
Transistor petits signaux
Notre service pour vous
Caractéristiques techniques
- Type
BSP135H6327
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
TO-261-4
- Fabricant
Infineon Technologies
- Abrév. fab.
INF
- Type
Canal N
- I(d)
120 mA
- UBR DSS
600 V
- Puissance (max) P(TOT)
1.8 W
- R(DS)(on)
45 Ω
- R(DS)(on) Courant de référence
120 mA
- Tension de référence R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
1 V
- U(GS)(th) Courant de référence max.
94 µA
- Q(G)
4.9 nC
- Q(G) Tension de référence
5 V
- C(ISS)
146 pF
- Tension de référence C(ISS)
25 V
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Type de montage
montage en saillie
- Série
SIPMOS®
- Température de fonctionnement (max.)
+150 °C
- Caractéristique du transistor
Mode de déplétion
- U(DSS)
600 V
- Canaux
1
- Contenu
1 pc(s)
Documents & téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 153163 Infineon Technologies BSP135H6327 MOSFET 1 Canal N 1.8 W TO-261-4
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 153163 Infineon Technologies BSP135H6327 MOSFET 1 Canal N 1.8 W TO-261-4
Description
Type à déplétion du canal N
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