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Conrad
Accueil
Composants actifs Semi-conducteurs Transistors à effet de champ MOSFETS

Vishay IRF730PBF MOSFET 1 Canal N 74 W TO-220

EAN :
N° réf. fabricant :
Code produit :
Deux composants électroniques noirs rectangulaires, chacun avec trois broches de connexion, disposés côte à côte sur la droite, probablement des transistors.
Photo non contractuelle
Deux composants électroniques noirs rectangulaires, chacun avec trois broches de connexion, disposés côte à côte sur la droite, probablement des transistors.
Photo non contractuelle
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-220
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
74 W
R(DS)(on)
1 Ω
Fiche technique (PDF)
English
Vishay
Livraison le Do., 17. Sept.

143 pièce(s)

Nombre

Total (CHF 0.83 / pièce(s))
CHF 0.83
excl. TVA 
Livraison gratuite avec

Droit de retour de 14 jours inclus (30 jours avec)

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Points forts & détails

MOSFET

Notre service pour vous

Caractéristiques techniques

Type

IRF730PBF

Type de produit

MOSFET

Boîtier

TO-220

Fabricant

Vishay

Abrév. fab.

VIS

Type

Canal N

I(d)

5.5 A

UBR DSS

400 V

Puissance (max) P(TOT)

74 W

R(DS)(on)

1 Ω

R(DS)(on) Courant de référence

3.3 A

Tension de référence R(DS)(on)

10 V

U(GS)(th) max.

4 V

U(GS)(th) Courant de référence max.

250 µA

Q(G)

38 nC

Q(G) Tension de référence

10 V

C(ISS)

700 pF

Tension de référence C(ISS)

25 V

Température de fonctionnement (min.)

-55 °C

Type de montage

trou traversant

Température de fonctionnement (max.)

+150 °C

Caractéristique du transistor

Standard

U(DSS)

400 V

Canaux

1

Contenu

1 pc(s)

Description

400 V/5.5 A

Variantes(Les prix indiqués sont excl.TVA, frais de port en sus )

Gehäuse
R(DS)(on) Referenz-Strom
R(DS)(on)
U(DSS)
Leistung (max) P(TOT)
C(ISS)
Montageart
 
Vishay IRF730PBF MOSFET 1 N-Kanal 74 W TO-220
Vishay IRF730PBF MOSFET 1 N-Kanal 74 W TO-220

162441

 
Ce produit
TO-220
3.3 A
1 Ω
400 V
74 W
700 pF
Durchführungsloch
Infineon Technologies IRF1010NPBF MOSFET 1 N-Kanal 180 W TO-220
Infineon Technologies IRF1010NPBF MOSFET 1 N-Kanal 180 W TO-220

162362

 
TO-220
43 A
11 mΩ
55 V
180 W
3210 pF
Durchführungsloch
Infineon Technologies IRF1310NPBF MOSFET 1 N-Kanal 160 W TO-220AB
Infineon Technologies IRF1310NPBF MOSFET 1 N-Kanal 160 W TO-220AB

162368

 
TO-220AB
22 A
36 mΩ
100 V
160 W
1900 pF
Durchführungsloch
Infineon Technologies IRF3710 MOSFET 1 N-Kanal 160 W TO-220AB
Infineon Technologies IRF3710 MOSFET 1 N-Kanal 160 W TO-220AB

162397

 
TO-220AB
35 A
18 mΩ
100 V
160 W
2900 pF
Oberflächenmontage
Vishay IRF510PBF MOSFET 1 N-Kanal 43 W TO-220
Vishay IRF510PBF MOSFET 1 N-Kanal 43 W TO-220

162402

 
TO-220
3.4 A
540 mΩ
100 V
43 W
180 pF
Durchführungsloch
Infineon Technologies IRF520NPBF MOSFET 1 N-Kanal 48 W TO-220
Infineon Technologies IRF520NPBF MOSFET 1 N-Kanal 48 W TO-220

162404

 
TO-220
5.7 A
200 mΩ
100 V
48 W
330 pF
Durchführungsloch
Infineon Technologies IRF530N MOSFET 1 N-Kanal 3.8 W TO-263-3
Infineon Technologies IRF530N MOSFET 1 N-Kanal 3.8 W TO-263-3

162410

 
TO-263-3
9 A
90 mΩ
100 V
3.8 W
920 pF
Oberflächenmontage
Infineon Technologies IRF540NPBF MOSFET 1 N-Kanal 130 W TO-220
Infineon Technologies IRF540NPBF MOSFET 1 N-Kanal 130 W TO-220

162412

 
TO-220
16 A
44 mΩ
100 V
130 W
1960 pF
Durchführungsloch
Vishay IRF610PBF MOSFET 1 N-Kanal 36 W TO-220
Vishay IRF610PBF MOSFET 1 N-Kanal 36 W TO-220

162414

 
TO-220
2 A
1.5 Ω
200 V
36 W
140 pF
Durchführungsloch
Infineon Technologies IRF630N MOSFET 1 N-Kanal 82 W TO-263-3
Infineon Technologies IRF630N MOSFET 1 N-Kanal 82 W TO-263-3

162421

 
TO-263-3
5.4 A
300 mΩ
200 V
82 W
575 pF
Oberflächenmontage

Documents & téléchargements

Fiche technique

English

Fiche technique 162441 Vishay IRF730PBF MOSFET 1 Canal N 74 W TO-220

Conseils d'utilisation et de sécurité

Conseils d'utilisation et de sécurité 162441 Vishay IRF730PBF MOSFET 1 Canal N 74 W TO-220

Description

Un transistor Mosfet est un composant commandé en tension qui peut directement être branché à des sources à haute impédance. Il convient donc bien à une utilisation comme commutateur ou amplificateur analogique. Ce transistor est compatible µC, TTL et CMOS. Remarque : fabricants SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.

Description

Un transistor Mosfet est un composant commandé en tension qui peut directement être branché à des sources à haute impédance. Il convient donc bien à une utilisation comme commutateur ou amplificateur analogique. Ce transistor est compatible µC, TTL et CMOS. Remarque : fabricants SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.

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