
Vishay Diode avalanche BYG10M-E3/TR Type de boîtier (semi-conducteur) DO-214AC Tension de blocage U(R) 1000 V Courant co
Droit de retour de 14 jours inclus (30 jours avec)
Points forts & détails
Diode avalanche
- Vishay BYG10M-E3/TR
- Contenu: 1 pc(s)
Notre service pour vous
Caractéristiques techniques
- Type
BYG10M-E3/TR
- Type de produit
Diode avalanche
- Fabricant
Vishay
- Abrév. fab.
VIS
- Courant coupé limité I(F)
1.5 A
- Tension de blocage U(R)
1000 V
- Tension directe U(F)
1.15 V
- Tension directe
1.5 A
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Température de fonctionnement (max.)
+150 °C
- Boîtier
DO-214AC
- Type de montage
montage en saillie
- Courant de fuite I(r)
1 µA
- Courant inverse I(r) - Référence
1000 V
- Temps de recouvrement inverse T(rr)
4 µs
Documents & téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 564934 Vishay Diode avalanche BYG10M-E3/TR Type de boîtier (semi-conducteur) DO-214AC Tension de blocage U(R) 1000 V Courant co
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 564934 Vishay Diode avalanche BYG10M-E3/TR Type de boîtier (semi-conducteur) DO-214AC Tension de blocage U(R) 1000 V Courant co
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