
STMicroelectronics Transistor (BJT) - Discret BDX53B TO-220AB 1 NPN - Darlington
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Points forts & détails
Transistor (BJT) - Discret BDX53B STMicroelectronics
- STMicroelectronics BDX53B
- Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220AB
- Contenu: 1 pc(s)
Notre service pour vous
Caractéristiques techniques
- Type
BDX53B
- Type de produit
Transistor (BJT) - Discret
- Boîtier
TO-220AB
- Fabricant
STMicroelectronics
- Abrév. fab.
STM
- Canaux
1
- Type
NPN - Darlington
- Courant du collecteur CI
8 A
- Tension - Collecteur-émetteur max.
80 V
- Saturation VCE (max.)
2 V
- Collecteur courant résiduel I(CES)
500 µA
- Puissance (max) P(TOT)
60 W
- Gain à courant DC (hFE)
750
- Gain en courant DC hFE - Courant de référence
3 A
- Puissance courant DC hFE - tension de référence
3 V
- Type de montage
trou traversant
- Contenu
1 pc(s)
Documents & téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 156876 STMicroelectronics Transistor (BJT) - Discret BDX53B TO-220AB 1 NPN - Darlington
Fiche technique 156876 STMicroelectronics Transistor (BJT) - Discret BDX53B TO-220AB 1 NPN - Darlington
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 156876 STMicroelectronics Transistor (BJT) - Discret BDX53B TO-220AB 1 NPN - Darlington
Description
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