
STMicroelectronics Transistor bipolaire (BJT) - Matrice ULN2001A DIP-16 7 NPN - Darlington
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Points forts & détails
- STMicroelectronics ULN2001A
- Type de boîtier (semi-conducteur): DIP-16
- Contenu: 1 pc(s)
Notre service pour vous
Caractéristiques techniques
- Type
ULN2001A
- Type de produit
Transistor bipolaire (BJT) - Matrice
- Boîtier
DIP-16
- Fabricant
STMicroelectronics
- Abrév. fab.
STM
- Canaux
7
- Type
NPN - Darlington
- Courant du collecteur CI
500 mA
- Tension - Collecteur-émetteur max.
50 V
- Saturation VCE (max.)
1.6 V
- Gain à courant DC (hFE)
1000
- Gain en courant DC hFE - Courant de référence
350 mA
- Puissance courant DC hFE - tension de référence
2 V
- Type de montage
trou traversant
- Contenu
1 pc(s)
Documents & téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 177954 STMicroelectronics Transistor bipolaire (BJT) - Matrice ULN2001A DIP-16 7 NPN - Darlington
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 177954 STMicroelectronics Transistor bipolaire (BJT) - Matrice ULN2001A DIP-16 7 NPN - Darlington
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