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Points forts & détails
Transistor (BJT) - Discret
- ON Semiconductor BD13910STU
- Type de boîtier (semi-conducteur): TO-126
- Contenu: 1 pc(s)
Notre service pour vous
Caractéristiques techniques
- Type
BD13910STU
- Type de produit
Transistor (BJT) - Discret
- Boîtier
TO-126
- Fabricant
ON Semiconductor
- Abrév. fab.
OnS
- Canaux
1
- Type
NPN
- Courant du collecteur CI
1.5 A
- Tension - Collecteur-émetteur max.
80 V
- Saturation VCE (max.)
500 mV
- Collecteur courant résiduel I(CES)
100 nA
- Puissance (max) P(TOT)
1.25 W
- Gain à courant DC (hFE)
63
- Gain en courant DC hFE - Courant de référence
150 mA
- Puissance courant DC hFE - tension de référence
2 V
- Type de montage
trou traversant
- Contenu
1 pc(s)
Documents & téléchargements
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 1263036 ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret BD13910STU TO-126 1 NPN
Description
Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet.
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