
Nexperia Transistor (BJT) - Discret BST52,115 SOT-89-3 1 NPN - Darlington
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Points forts & détails
Transistor
- Nexperia BST52,115
- Type de boîtier (semi-conducteur): SOT-89-3
- Contenu: 1 pc(s)
Notre service pour vous
Caractéristiques techniques
- Type
BST52,115
- Type de produit
Transistor (BJT) - Discret
- Boîtier
SOT-89-3
- Fabricant
Nexperia
- Abrév. fab.
NEX
- Canaux
1
- Type
NPN - Darlington
- Courant du collecteur CI
1 A
- Tension - Collecteur-émetteur max.
80 V
- Saturation VCE (max.)
1.3 V
- Collecteur courant résiduel I(CES)
50 nA
- Puissance (max) P(TOT)
1.3 W
- Gain à courant DC (hFE)
2000
- Gain en courant DC hFE - Courant de référence
500 mA
- Puissance courant DC hFE - tension de référence
10 V
- Fréquence de transition f(T)
200 MHz
- Type de montage
montage en saillie
- Contenu
1 pc(s)
Documents & téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 1113277 Nexperia Transistor (BJT) - Discret BST52,115 SOT-89-3 1 NPN - Darlington
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