Infineon Technologies Transistor (BJT) - Discret BCV29 SOT-89 1 NPN - Darlington – Conrad Electronic Suisse | Conrad CH (FR)

Deux composants électroniques noirs à trois broches, visibles sur le côté et en dessous, sur un fond blanc.

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Type de produit

Transistor (BJT) - Discret

Boîtier

SOT-89

Type

NPN - Darlington

Courant du collecteur CI

500 mA

Tension - Collecteur-émetteur max.

30 V

Fiche technique (PDF)

Infineon Technologies

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Points forts & détails

Transistor (BJT) - Discret

Infineon Technologies BCV29
Type de boîtier (semi-conducteur): SOT-89
Contenu: 1 pc(s)

Notre service pour vous

Caractéristiques techniques

Type: BCV29

Type de produit: Transistor (BJT) - Discret

Boîtier: SOT-89

Fabricant: Infineon Technologies

Abrév. fab.: INF

Canaux: 1

Type: NPN - Darlington

Courant du collecteur CI: 500 mA

Tension - Collecteur-émetteur max.: 30 V

Saturation VCE (max.): 1 V

Collecteur courant résiduel I(CES): 100 nA

Puissance (max) P(TOT): 1 W

Gain à courant DC (hFE): 20000

Gain en courant DC hFE - Courant de référence: 100 mA

Puissance courant DC hFE - tension de référence: 5 V

Fréquence de transition f(T): 150 MHz

Type de montage: montage en saillie

Conforme à la norme RoHS: oui

Contenu: 1 pc(s)

Documents & téléchargements

Fiche technique

Fiche technique 152949 Infineon Technologies Transistor (BJT) - Discret BCV29 SOT-89 1 NPN - Darlington

Conseils d'utilisation et de sécurité

Conseils d'utilisation et de sécurité 152949 Infineon Technologies Transistor (BJT) - Discret BCV29 SOT-89 1 NPN - Darlington

Description

Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet.

Description

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