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Infineon Technologies IRF3710Z MOSFET 1 Canal N 160 W TO-263-3
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-263-3
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
160 W
R(DS)(on)
18 mΩ
Fiche technique (PDF)
EAN :
N° réf. fabricant :
Code produit :
353 pièce(s)
Nombre
Total (CHF 1.60 / pièce(s))
CHF 2.20
-27 %
CHF 1.60
Prix TVA incl.
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Points forts & détails
MOSFET (HEXFET/FETKY)
Notre service pour vous
Caractéristiques techniques
- Type
IRF3710Z
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
TO-263-3
- Fabricant
Infineon Technologies
- Abrév. fab.
INF
- Type
Canal N
- I(d)
59 A
- UBR DSS
100 V
- Puissance (max) P(TOT)
160 W
- R(DS)(on)
18 mΩ
- R(DS)(on) Courant de référence
35 A
- Tension de référence R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Courant de référence max.
250 µA
- Q(G)
120 nC
- Q(G) Tension de référence
10 V
- C(ISS)
2900 pF
- Tension de référence C(ISS)
25 V
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Type de montage
montage en saillie
- Série
HEXFET®
- Température de fonctionnement (max.)
+175 °C
- Caractéristique du transistor
Standard
- U(DSS)
100 V
- Canaux
1
- Contenu
1 pc(s)
- Description
100 V/59 A
Documents & téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 164339 Infineon Technologies IRF3710Z MOSFET 1 Canal N 160 W TO-263-3
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 164339 Infineon Technologies IRF3710Z MOSFET 1 Canal N 160 W TO-263-3
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