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Conrad

Infineon Technologies IRF3708PBF MOSFET 1 Canal N 87 W TO-220

Photo non contractuelle
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-220
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
87 W
R(DS)(on)
12 mΩ
Fiche technique (PDF)
EAN :
N° réf. fabricant :
Code produit :
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Points forts & détails

MOSFET (HEXFET/FETKY)

Notre service pour vous

Caractéristiques techniques

Type

IRF3708PBF

Type de produit

MOSFET

Boîtier

TO-220

Fabricant

Infineon Technologies

Abrév. fab.

INF

Type

Canal N

I(d)

62 A

UBR DSS

30 V

Puissance (max) P(TOT)

87 W

R(DS)(on)

12 mΩ

R(DS)(on) Courant de référence

15 A

Tension de référence R(DS)(on)

10 V

U(GS)(th) max.

2 V

U(GS)(th) Courant de référence max.

250 µA

Q(G)

24 nC

Q(G) Tension de référence

4.5 V

C(ISS)

2417 pF

Tension de référence C(ISS)

15 V

Température de fonctionnement (min.)

-55 °C

Type de montage

trou traversant

Série

HEXFET®

Température de fonctionnement (max.)

+175 °C

Caractéristique du transistor

Standard

U(DSS)

30 V

Canaux

1

Contenu

1 pc(s)

Description

30 V/62 A

Documents & téléchargements

Fiche technique

Fiche technique 162394 Infineon Technologies IRF3708PBF MOSFET 1 Canal N 87 W TO-220

Conseils d'utilisation et de sécurité

Conseils d'utilisation et de sécurité 162394 Infineon Technologies IRF3708PBF MOSFET 1 Canal N 87 W TO-220

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