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Conrad
Accueil
Composants actifs Semi-conducteurs Transistors à effet de champ MOSFETS

Infineon Technologies IRF1404PBF MOSFET 1 Canal N 333 W TO-220AB

EAN :
N° réf. fabricant :
Code produit :
Deux composants électroniques noirs rectangulaires, chacun avec trois broches de connexion, disposés côte à côte sur la droite, probablement des transistors.
Photo non contractuelle
Deux composants électroniques noirs rectangulaires, chacun avec trois broches de connexion, disposés côte à côte sur la droite, probablement des transistors.
Photo non contractuelle
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-220AB
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
333 W
R(DS)(on)
4 mΩ
Fiche technique (PDF)
English
Infineon Technologies
Livraison le Do., 17. Sept.

168 pièce(s)

Nombre

Total (CHF 1.62 / pièce(s))
CHF 1.72
-6 %
CHF 1.62
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Points forts & détails

MOSFET

Notre service pour vous

Caractéristiques techniques

Type

IRF1404PBF

Type de produit

MOSFET

Boîtier

TO-220AB

Fabricant

Infineon Technologies

Abrév. fab.

INF

Type

Canal N

I(d)

202 A

UBR DSS

40 V

Puissance (max) P(TOT)

333 W

R(DS)(on)

4 mΩ

R(DS)(on) Courant de référence

121 A

Tension de référence R(DS)(on)

10 V

U(GS)(th) max.

4 V

U(GS)(th) Courant de référence max.

250 µA

Q(G)

196 nC

Q(G) Tension de référence

10 V

C(ISS)

5669 pF

Tension de référence C(ISS)

25 V

Température de fonctionnement (min.)

-55 °C

Type de montage

trou traversant

Série

HEXFET®

Température de fonctionnement (max.)

+175 °C

Caractéristique du transistor

Standard

U(DSS)

40 V

Canaux

1

Contenu

1 pc(s)

Description

40 V/162 A

Variantes(Les prix indiqués sont excl.TVA, frais de port en sus )

Gehäuse
U(GS)(th) max.
R(DS)(on) Referenz-Strom
R(DS)(on)
U(DSS)
Leistung (max) P(TOT)
C(ISS)
Montageart
 
Infineon Technologies IRF1404PBF MOSFET 1 N-Kanal 333 W TO-220AB
Infineon Technologies IRF1404PBF MOSFET 1 N-Kanal 333 W TO-220AB

162372

 
Ce produit
TO-220AB
4 V
121 A
4 mΩ
40 V
333 W
5669 pF
Durchführungsloch
Infineon Technologies IRF1010E MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220
Infineon Technologies IRF1010E MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220

162358

 
TO-220
4 V
50 A
12 mΩ
60 V
200 W
3210 pF
Durchführungsloch
Infineon Technologies IRF1405PBF MOSFET 1 N-Kanal 330 W TO-220
Infineon Technologies IRF1405PBF MOSFET 1 N-Kanal 330 W TO-220

162375

 
TO-220
4 V
101 A
5.3 mΩ
55 V
330 W
5480 pF
Durchführungsloch
Infineon Technologies IRF3415PBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220
Infineon Technologies IRF3415PBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220

162384

 
TO-220
4 V
22 A
42 mΩ
150 V
200 W
2400 pF
Durchführungsloch
Infineon Technologies IRF3708PBF MOSFET 1 N-Kanal 87 W TO-220
Infineon Technologies IRF3708PBF MOSFET 1 N-Kanal 87 W TO-220

162394

 
TO-220
2 V
15 A
12 mΩ
30 V
87 W
2417 pF
Durchführungsloch
Vishay IRF710PBF MOSFET 1 N-Kanal 36 W TO-220AB
Vishay IRF710PBF MOSFET 1 N-Kanal 36 W TO-220AB

162429

 
TO-220AB
4 V
1.2 A
3.6 Ω
400 V
36 W
170 pF
Durchführungsloch
Vishay IRF830PBF MOSFET 1 N-Kanal 74 W TO-220AB
Vishay IRF830PBF MOSFET 1 N-Kanal 74 W TO-220AB

162522

 
TO-220AB
4 V
2.7 A
1.5 Ω
500 V
74 W
610 pF
Durchführungsloch
Vishay IRF840APBF MOSFET 1 N-Kanal 125 W TO-220AB
Vishay IRF840APBF MOSFET 1 N-Kanal 125 W TO-220AB

162527

 
TO-220AB
4 V
4.8 A
850 mΩ
500 V
125 W
1018 pF
Durchführungsloch
Infineon Technologies IRF1404ZPBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220AB
Infineon Technologies IRF1404ZPBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220AB

164331

 
TO-220AB
4 V
75 A
3.7 mΩ
40 V
200 W
4340 pF
Durchführungsloch
Infineon Technologies IRF1405ZPBF MOSFET 1 N-Kanal 230 W TO-220AB
Infineon Technologies IRF1405ZPBF MOSFET 1 N-Kanal 230 W TO-220AB

164334

 
TO-220AB
4 V
75 A
4.9 mΩ
55 V
230 W
4780 pF
Durchführungsloch

Documents & téléchargements

Fiche technique

English

Fiche technique 162372 Infineon Technologies IRF1404PBF MOSFET 1 Canal N 333 W TO-220AB

Conseils d'utilisation et de sécurité

Conseils d'utilisation et de sécurité 162372 Infineon Technologies IRF1404PBF MOSFET 1 Canal N 333 W TO-220AB

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