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Infineon Technologies IRF3415PBF MOSFET 1 Canal N 200 W TO-220
EAN :
N° réf. fabricant :
Code produit :
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-220
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
42 mΩ
Fiche technique (PDF)
530 pièce(s)
Nombre
Min.: 10
Multiples: 10
Total (CHF 1.62 / pièce(s))
CHF 16.20
excl. TVA
Livraison gratuite avec
Droit de retour de 14 jours inclus (30 jours avec)
Points forts & détails
MOSFET
Notre service pour vous
Caractéristiques techniques
- Type
IRF3415PBF
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
TO-220
- Fabricant
Infineon Technologies
- Abrév. fab.
INF
- Type
Canal N
- I(d)
43 A
- UBR DSS
150 V
- Puissance (max) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
42 mΩ
- R(DS)(on) Courant de référence
22 A
- Tension de référence R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Courant de référence max.
250 µA
- Q(G)
200 nC
- Q(G) Tension de référence
10 V
- C(ISS)
2400 pF
- Tension de référence C(ISS)
25 V
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Type de montage
trou traversant
- Série
HEXFET®
- Température de fonctionnement (max.)
+175 °C
- Caractéristique du transistor
Standard
- U(DSS)
150 V
- Canaux
1
- Contenu
1 pc(s)
- Description
150 V/43 A
Documents & téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 162384 Infineon Technologies IRF3415PBF MOSFET 1 Canal N 200 W TO-220
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 162384 Infineon Technologies IRF3415PBF MOSFET 1 Canal N 200 W TO-220