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Vishay SI4948BEY-T1-E3 MOSFET 2 Canal P 1.4 W SOIC-8
EAN :
N° réf. fabricant :
Code produit :
Type de produit
MOSFET
Boîtier
SOIC-8
Type
Canal P
Puissance (max) P(TOT)
1.4 W
R(DS)(on)
120 mΩ
Fiche technique (PDF)
2464 pièce(s) (Dans la limite des stocks disponibles)
Nombre
Total (CHF 0.69 / pièce(s))
CHF 0.69
excl. TVA
Livraison gratuite avec
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Points forts & détails
MOSFET
Notre service pour vous
Caractéristiques techniques
- Type
SI4948BEY-T1-E3
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
SOIC-8
- Fabricant
Vishay
- Abrév. fab.
VIS
- Type
Canal P
- I(d)
2.4 A
- UBR DSS
60 V
- Puissance (max) P(TOT)
1.4 W
- R(DS)(on)
120 mΩ
- R(DS)(on) Courant de référence
3.1 A
- Tension de référence R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
3 V
- U(GS)(th) Courant de référence max.
250 µA
- Q(G)
22 nC
- Q(G) Tension de référence
10 V
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Type de montage
montage en saillie
- Série
TrenchFET®
- Température de fonctionnement (max.)
+175 °C
- Caractéristique du transistor
Porte de niveau logique
- U(DSS)
60 V
- Canaux
2
- Contenu
1 pc(s)
Documents & téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 597348 Vishay SI4948BEY-T1-E3 MOSFET 2 Canal P 1.4 W SOIC-8
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 597348 Vishay SI4948BEY-T1-E3 MOSFET 2 Canal P 1.4 W SOIC-8