
Vishay Diode avalanche BYV26E-TAP Type de boîtier (semi-conducteur) SOD-57 Tension de blocage U(R) 1000 V Courant coupé
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Points forts & détails
Diode avalanche
- Vishay BYV26E-TAP
- Contenu: 1 pc(s)
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Caractéristiques techniques
- Type
BYV26E-TAP
- Type de produit
Diode avalanche
- Fabricant
Vishay
- Abrév. fab.
VIS
- Courant coupé limité I(F)
1 A
- Tension de blocage U(R)
1000 V
- Tension directe U(F)
2.5 V
- Tension directe
1 A
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Température de fonctionnement (max.)
+175 °C
- Boîtier
SOD-57
- Type de montage
trou traversant
- Courant de fuite I(r)
5 µA
- Courant inverse I(r) - Référence
1000 V
- Temps de recouvrement inverse T(rr)
75 ns
Documents & téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 564959 Vishay Diode avalanche BYV26E-TAP Type de boîtier (semi-conducteur) SOD-57 Tension de blocage U(R) 1000 V Courant coupé
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 564959 Vishay Diode avalanche BYV26E-TAP Type de boîtier (semi-conducteur) SOD-57 Tension de blocage U(R) 1000 V Courant coupé



