Vishay Diode avalanche BYG10M-E3/TR Type de boîtier (semi-conducteur) DO-214AC Tension de blocage U(R) 1000 V Courant co

Deux pièces rectangulaires en plastique noir avec des éléments blancs ressemblant à des composants techniques.

Photo non contractuelle

Type de produit

Diode avalanche

Courant coupé limité I(F)

1.5 A

Tension de blocage U(R)

1000 V

Tension directe U(F)

1.15 V

Boîtier

DO-214AC

Fiche technique (PDF)

Livraison le Do., 17. Sept.

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Diode avalanche

Vishay BYG10M-E3/TR
Contenu: 1 pc(s)

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Caractéristiques techniques

Type: BYG10M-E3/TR

Type de produit: Diode avalanche

Fabricant: Vishay

Abrév. fab.: VIS

Courant coupé limité I(F): 1.5 A

Tension de blocage U(R): 1000 V

Tension directe U(F): 1.15 V

Tension directe: 1.5 A

Température de fonctionnement (min.): -55 °C

Température de fonctionnement (max.): +150 °C

Boîtier: DO-214AC

Type de montage: montage en saillie

Courant de fuite I(r): 1 µA

Courant inverse I(r) - Référence: 1000 V

Temps de recouvrement inverse T(rr): 4 µs

Variantes(Les prix indiqués sont excl.TVA, frais de port en sus )

Gehäuse

Durchlassspannung U(F)

Durchlassstrom I(F)

Sperrspannung U(R)

Montageart

Vishay Avalanche Diode BYG10M-E3/TR Gehäuseart (Halbleiter) DO-214AC Sperrspannung U(R) 1000 V Durchlassstrom I(F) 1.5 A

Code produit :564934

Ce produit

DO-214AC

1.15 V

1.5 A

1000 V

Oberflächenmontage

Vishay Avalanche Diode BYG10Y-E3/TR Gehäuseart (Halbleiter) DO-214AC Sperrspannung U(R) 1600 V Durchlassstrom I(F) 1.5 A

Code produit :564935

DO-214AC

1.15 V

1.5 A

1600 V

Oberflächenmontage

Vishay Avalanche Diode BYG20J-E3/TR Gehäuseart (Halbleiter) DO-214AC Sperrspannung U(R) 600 V Durchlassstrom I(F) 1.5 A

Code produit :564937

DO-214AC

1.4 V

1.5 A

600 V

Oberflächenmontage

Vishay Avalanche Diode BYG21M-E3/TR Gehäuseart (Halbleiter) DO-214AC Sperrspannung U(R) 1000 V Durchlassstrom I(F) 1.5 A

Code produit :564939

DO-214AC

1.6 V

1.5 A

1000 V

Oberflächenmontage

Vishay Avalanche Diode BYG22D-E3/TR Gehäuseart (Halbleiter) DO-214AC Sperrspannung U(R) 200 V Durchlassstrom I(F) 2 A

Code produit :564941

DO-214AC

1.1 V

2 A

200 V

Oberflächenmontage

Vishay Avalanche Diode BYG23M-E3/TR Gehäuseart (Halbleiter) DO-214AC Sperrspannung U(R) 1000 V Durchlassstrom I(F) 1.5 A

Code produit :564943

DO-214AC

1.7 V

1.5 A

1000 V

Oberflächenmontage

Vishay Avalanche Diode BYV26C-TAP Gehäuseart (Halbleiter) SOD-57 Sperrspannung U(R) 600 V Durchlassstrom I(F) 1 A

Code produit :564957

SOD-57

2.5 V

1 A

600 V

Durchführungsloch

Vishay Avalanche Diode BYV26E-TAP Gehäuseart (Halbleiter) SOD-57 Sperrspannung U(R) 1000 V Durchlassstrom I(F) 1 A

Code produit :564959

SOD-57

2.5 V

1 A

1000 V

Durchführungsloch

Vishay Avalanche Diode BYV27-100-TAP Gehäuseart (Halbleiter) SOD-57 Sperrspannung U(R) 100 V Durchlassstrom I(F) 2 A

Code produit :564961

SOD-57

1.07 V

2 A

100 V

Durchführungsloch

Vishay Avalanche Diode BYV28-200-TAP Gehäuseart (Halbleiter) SOD-64 Sperrspannung U(R) 200 V Durchlassstrom I(F) 3.5 A

Code produit :564965

SOD-64

1.1 V

3.5 A

200 V

Durchführungsloch

Documents & téléchargements

Fiche technique

Fiche technique 564934 Vishay Diode avalanche BYG10M-E3/TR Type de boîtier (semi-conducteur) DO-214AC Tension de blocage U(R) 1000 V Courant co

Conseils d'utilisation et de sécurité

Conseils d'utilisation et de sécurité 564934 Vishay Diode avalanche BYG10M-E3/TR Type de boîtier (semi-conducteur) DO-214AC Tension de blocage U(R) 1000 V Courant co

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