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Composants actifs Semi-conducteurs Circuits intégrés (CI) Mémoires CI

STMicroelectronics M48Z08-100PC1 CI Mémoire DIP-28 NVSRAM 64 ko 8 K x 8

EAN :
N° réf. fabricant :
Code produit :
Deux circuits intégrés noirs avec des broches métalliques contre un fond blanc.
Photo non contractuelle
Deux circuits intégrés noirs avec des broches métalliques contre un fond blanc.
Photo non contractuelle
Type de produit
CI Mémoire
Boîtier
DIP-28
Type de mémoire
NVSRAM
Type de montage
trou traversant
Type
M48Z08-100PC1
Fiche technique (PDF)
English
STMicroelectronics
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Points forts & détails

  • STMicroelectronics M48Z08-100PC1
  • Type de boîtier (semi-conducteur): DIP-28
  • Contenu: 1 pc(s)

Notre service pour vous

Caractéristiques techniques

Type

M48Z08-100PC1

Type de produit

CI Mémoire

Boîtier

DIP-28

Fabricant

STMicroelectronics

Abrév. fab.

STM

Type de mémoire

NVSRAM

Taille de la mémoire (CI)

64 ko

Organisation

8 K x 8

Tension d'alimentation min.

4.75 V

Tension d'alimentation max.

5.5 V

Format de stockage

RAM

Temps d'accès

100 ns

Température de fonctionnement (min.)

0 °C

Température de fonctionnement (max.)

+70 °C

Type de montage

trou traversant

Contenu

1 pc(s)

Variantes(Les prix indiqués sont excl.TVA, frais de port en sus )

Gehäuse
Speicher-Typ
Montageart
 
STMicroelectronics M48Z08-100PC1 Speicher-IC DIP-28 NVSRAM 64 kBit 8 K x 8
STMicroelectronics M48Z08-100PC1 Speicher-IC DIP-28 NVSRAM 64 kBit 8 K x 8

1185120

 
Ce produit
DIP-28
NVSRAM
Durchführungsloch
STMicroelectronics M24M02-DRMN6TP Speicher-IC SOIC-8 EEPROM 2 MBit 256 K x 8
STMicroelectronics M24M02-DRMN6TP Speicher-IC SOIC-8 EEPROM 2 MBit 256 K x 8

1184536

 
SOIC-8
EEPROM
Oberflächenmontage
STMicroelectronics M48Z02-70PC1 Speicher-IC DIP-24 NVSRAM 16 kBit 2 K x 8
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STMicroelectronics M48Z12-70PC1 Speicher-IC DIP-24 NVSRAM 16 kBit 2 K x 8
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DIP-24
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STMicroelectronics M48Z18-100PC1 Speicher-IC DIP-28 NVSRAM 64 kBit 8 K x 8
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1185124

 
DIP-28
NVSRAM
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SOIC-8
EEPROM
Oberflächenmontage
STMicroelectronics M93C66-WMN6P Speicher-IC SOIC-8 EEPROM 4 kBit 512 x 8, 256 x 16
STMicroelectronics M93C66-WMN6P Speicher-IC SOIC-8 EEPROM 4 kBit 512 x 8, 256 x 16

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SOIC-8
EEPROM
Oberflächenmontage
STMicroelectronics M24C02-WMN6TP Speicher-IC SOIC-8 EEPROM 2 kBit 256 x 8
STMicroelectronics M24C02-WMN6TP Speicher-IC SOIC-8 EEPROM 2 kBit 256 x 8

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SOIC-8
EEPROM
Oberflächenmontage

Documents & téléchargements

Fiche technique

English

Fiche technique 1185120 STMicroelectronics M48Z08-100PC1 CI Mémoire DIP-28 NVSRAM 64 ko 8 K x 8

Conseils d'utilisation et de sécurité

Conseils d'utilisation et de sécurité 1185120 STMicroelectronics M48Z08-100PC1 CI Mémoire DIP-28 NVSRAM 64 ko 8 K x 8

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