ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret MMBT2222A SOT-23-3 1 NPN

Deux composants électroniques noirs rectangulaires avec des bornes métalliques, probablement des diodes CMS, sur un fond blanc.

Photo non contractuelle

Type de produit

Transistor (BJT) - Discret

Boîtier

SOT-23-3

Type

NPN

Courant du collecteur CI

1 A

Tension - Collecteur-émetteur max.

40 V

Livraison le Mo., 5. Okt.

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Points forts & détails

transistor

ON Semiconductor MMBT2222A
Type de boîtier (semi-conducteur): SOT-23-3
Contenu: 1 pc(s)

Notre service pour vous

Caractéristiques techniques

Type: MMBT2222A

Type de produit: Transistor (BJT) - Discret

Boîtier: SOT-23-3

Fabricant: ON Semiconductor

Abrév. fab.: OnS

Canaux: 1

Type: NPN

Courant du collecteur CI: 1 A

Tension - Collecteur-émetteur max.: 40 V

Saturation VCE (max.): 1 V

Collecteur courant résiduel I(CES): 10 nA

Puissance (max) P(TOT): 350 mW

Gain à courant DC (hFE): 100

Gain en courant DC hFE - Courant de référence: 150 mA

Puissance courant DC hFE - tension de référence: 10 V

Fréquence de transition f(T): 300 MHz

Type de montage: montage en saillie

Contenu: 1 pc(s)

Variantes(Les prix indiqués sont excl.TVA, frais de port en sus )

Gehäuse

Collector-Strom I(C)

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

Leistung (max) P(TOT)

Ausführung

Produkt-Art

Montageart

ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N3904TA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

Code produit :1262862

TO-92-3

200 mA

40 V

625 mW

NPN

Transistor (BJT) - diskret

Durchführungsloch

ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N3906TA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 PNP

Code produit :1262866

TO-92-3

-200 mA

-40 V

625 mW

PNP

Transistor (BJT) - diskret

Durchführungsloch

ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2SC5200OTU TO-264 Anzahl Kanäle 1 NPN

Code produit :1262902

TO-264

17 A

250 V

150 W

NPN

Transistor (BJT) - diskret

Durchführungsloch

ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC33716TA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

Code produit :1262945

TO-92-3

800 mA

45 V

625 mW

NPN

Transistor (BJT) - diskret

Durchführungsloch

ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC33740TA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

Code produit :1262949

TO-92-3

800 mA

45 V

625 mW

NPN

Transistor (BJT) - diskret

Durchführungsloch

ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC516_D27Z TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 PNP - Darlington

Code produit :1262951

TO-92-3

-1 A

-30 V

625 mW

PNP - Darlington

Transistor (BJT) - diskret

Durchführungsloch

ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC546BTA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

Code produit :1262953

TO-92-3

100 mA

65 V

500 mW

NPN

Transistor (BJT) - diskret

Durchführungsloch

ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC546CTA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

Code produit :1262955

TO-92-3

100 mA

65 V

500 mW

NPN

Transistor (BJT) - diskret

Durchführungsloch

ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC547BTF TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

Code produit :1262957

TO-92-3

100 mA

45 V

500 mW

NPN

Transistor (BJT) - diskret

Durchführungsloch

ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC547CTA TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN

Code produit :1262958

TO-92-3

100 mA

45 V

500 mW

NPN

Transistor (BJT) - diskret

Durchführungsloch

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Conseils d'utilisation et de sécurité

Conseils d'utilisation et de sécurité 1264816 ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret MMBT2222A SOT-23-3 1 NPN

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