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ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret MJE3055TG TO-220AB 1 NPN
Type de produit
Transistor (BJT) - Discret
Boîtier
TO-220AB
Type
NPN
Courant du collecteur CI
10 A
Tension - Collecteur-émetteur max.
60 V
Fiche technique (PDF)
EAN :
N° réf. fabricant :
Code produit :
Total (CHF 0.85 / pièce(s))
CHF 0.85
Prix TVA incl.
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Points forts & détails
Transistor de commutation de puissance
- ON Semiconductor MJE3055TG
- Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220AB
- Contenu: 1 pc(s)
Notre service pour vous
Caractéristiques techniques
- Type
MJE3055TG
- Type de produit
Transistor (BJT) - Discret
- Boîtier
TO-220AB
- Fabricant
ON Semiconductor
- Abrév. fab.
OnS
- Canaux
1
- Type
NPN
- Courant du collecteur CI
10 A
- Tension - Collecteur-émetteur max.
60 V
- Saturation VCE (max.)
8 V
- Collecteur courant résiduel I(CES)
700 µA
- Puissance (max) P(TOT)
75 W
- Gain à courant DC (hFE)
20
- Gain en courant DC hFE - Courant de référence
4 A
- Puissance courant DC hFE - tension de référence
4 V
- Fréquence de transition f(T)
2 MHz
- Type de montage
trou traversant
- Contenu
1 pc(s)
Documents & téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 150945 ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret MJE3055TG TO-220AB 1 NPN
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 150945 ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret MJE3055TG TO-220AB 1 NPN
Description
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