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Deux composants électroniques noirs rectangulaires, chacun avec trois broches de connexion, disposés côte à côte sur la droite, probablement des transistors.

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ON Semiconductor

Type de produit

Transistor (BJT) - Discret

Boîtier

TO-220AB

Type

NPN

Courant du collecteur CI

5 A

Tension - Collecteur-émetteur max.

450 V

Fiche technique (PDF)

EAN :

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Points forts & détails

Transistor de commutation de puissance

ON Semiconductor MJE18004G
Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220AB
Contenu: 1 pc(s)

Notre service pour vous

Caractéristiques techniques

Type: MJE18004G

Type de produit: Transistor (BJT) - Discret

Boîtier: TO-220AB

Fabricant: ON Semiconductor

Abrév. fab.: OnS

Canaux: 1

Type: NPN

Courant du collecteur CI: 5 A

Tension - Collecteur-émetteur max.: 450 V

Saturation VCE (max.): 750 mV

Collecteur courant résiduel I(CES): 100 µA

Puissance (max) P(TOT): 75 W

Série: SWITCHMODE™

Gain à courant DC (hFE): 14

Gain en courant DC hFE - Courant de référence: 300 mA

Puissance courant DC hFE - tension de référence: 5 V

Fréquence de transition f(T): 13 MHz

Type de montage: trou traversant

Contenu: 1 pc(s)

Documents & téléchargements

Fiche technique

Fiche technique 151029 ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret MJE18004G TO-220AB 1 NPN

Conseils d'utilisation et de sécurité

Conseils d'utilisation et de sécurité 151029 ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret MJE18004G TO-220AB 1 NPN

Description

Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet.

Description

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