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ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret MJE18004G TO-220AB 1 NPN
EAN :
N° réf. fabricant :
Code produit :
Type de produit
Transistor (BJT) - Discret
Boîtier
TO-220AB
Type
NPN
Courant du collecteur CI
5 A
Tension - Collecteur-émetteur max.
450 V
Fiche technique (PDF)
55 pièce(s)
Quantité (pièce(s))
Economie
prix de l'emballage (excl. TVA)
1
-
CHF 1.11
10
8% = CHF 0.09
CHF 1.02
25
12% = CHF 0.13
CHF 0.98
50
14% = CHF 0.15
CHF 0.96
100
16% = CHF 0.18
CHF 0.93
250
18% = CHF 0.20
CHF 0.91
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Économiser CHF 0.00
Nombre
Total (CHF 1.11 / pièce(s))
CHF 1.11
excl. TVA
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Points forts & détails
Transistor de commutation de puissance
- ON Semiconductor MJE18004G
- Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220AB
- Contenu: 1 pc(s)
Notre service pour vous
Caractéristiques techniques
- Type
MJE18004G
- Type de produit
Transistor (BJT) - Discret
- Boîtier
TO-220AB
- Fabricant
ON Semiconductor
- Abrév. fab.
OnS
- Canaux
1
- Type
NPN
- Courant du collecteur CI
5 A
- Tension - Collecteur-émetteur max.
450 V
- Saturation VCE (max.)
750 mV
- Collecteur courant résiduel I(CES)
100 µA
- Puissance (max) P(TOT)
75 W
- Série
SWITCHMODE™
- Gain à courant DC (hFE)
14
- Gain en courant DC hFE - Courant de référence
300 mA
- Puissance courant DC hFE - tension de référence
5 V
- Fréquence de transition f(T)
13 MHz
- Type de montage
trou traversant
- Contenu
1 pc(s)
Documents & téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 151029 ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret MJE18004G TO-220AB 1 NPN
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 151029 ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret MJE18004G TO-220AB 1 NPN
Description
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