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NXP Semiconductors Transistor (BJT) - Discret PHE13009,127 TO-220AB 1 NPN
EAN :
N° réf. fabricant :
Code produit :
Type de produit
Transistor (BJT) - Discret
Boîtier
TO-220AB
Type
NPN
Courant du collecteur CI
12 A
Tension - Collecteur-émetteur max.
400 V
Fiche technique (PDF)
54 pièce(s)
Nombre
Total (CHF 1.48 / pièce(s))
CHF 1.48
excl. TVA
Livraison gratuite avec
Droit de retour de 14 jours inclus (30 jours avec)
Points forts & détails
Transistor de commutation de puissance
- NXP Semiconductors PHE13009,127
- Type de boîtier (semi-conducteur): TO-220AB
- Contenu: 1 pc(s)
Notre service pour vous
Caractéristiques techniques
- Type
PHE13009,127
- Type de produit
Transistor (BJT) - Discret
- Boîtier
TO-220AB
- Fabricant
NXP Semiconductors
- Abrév. fab.
NXP
- Canaux
1
- Type
NPN
- Courant du collecteur CI
12 A
- Tension - Collecteur-émetteur max.
400 V
- Saturation VCE (max.)
2 V
- Collecteur courant résiduel I(CES)
100 µA
- Puissance (max) P(TOT)
80 W
- Gain à courant DC (hFE)
8
- Gain en courant DC hFE - Courant de référence
5 A
- Puissance courant DC hFE - tension de référence
5 V
- Type de montage
trou traversant
- Contenu
1 pc(s)
Documents & téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 150857 NXP Semiconductors Transistor (BJT) - Discret PHE13009,127 TO-220AB 1 NPN
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 150857 NXP Semiconductors Transistor (BJT) - Discret PHE13009,127 TO-220AB 1 NPN
Description
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