
Infineon Technologies Transistor (BJT) - Discret BCV47E6327 SOT-23-3 1 NPN - Darlington Tape cut
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Points forts & détails
Transistor (BJT) - Discret
- Infineon Technologies BCV47E6327
- Type de boîtier (semi-conducteur): SOT-23-3
- Contenu: 1 pc(s)
Notre service pour vous
Caractéristiques techniques
- Type d'emballage
Tape cut
- Type
BCV47E6327
- Type de produit
Transistor (BJT) - Discret
- Boîtier
SOT-23-3
- Fabricant
Infineon Technologies
- Abrév. fab.
INF
- Canaux
1
- Type
NPN - Darlington
- Courant du collecteur CI
500 mA
- Tension - Collecteur-émetteur max.
60 V
- Saturation VCE (max.)
1 V
- Collecteur courant résiduel I(CES)
100 nA
- Puissance (max) P(TOT)
360 mW
- Gain à courant DC (hFE)
10000
- Gain en courant DC hFE - Courant de référence
100 mA
- Puissance courant DC hFE - tension de référence
5 V
- Fréquence de transition f(T)
170 MHz
- Type de montage
montage en saillie
- Contenu
1 pc(s)
Documents & téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 152975 Infineon Technologies Transistor (BJT) - Discret BCV47E6327 SOT-23-3 1 NPN - Darlington Tape cut
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 152975 Infineon Technologies Transistor (BJT) - Discret BCV47E6327 SOT-23-3 1 NPN - Darlington Tape cut
Description
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