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Infineon Technologies IRFP3710PBF MOSFET 1 Canal N 200 W TO-247-3
EAN :
N° réf. fabricant :
Code produit :
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-247-3
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
25 mΩ
Fiche technique (PDF)
98 pièce(s)
Nombre
Total (CHF 2.45 / pièce(s))
CHF 2.45
excl. TVA
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Droit de retour de 14 jours inclus (30 jours avec)
Points forts & détails
MOSFET
Notre service pour vous
Caractéristiques techniques
- Type
IRFP3710PBF
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
TO-247-3
- Fabricant
Infineon Technologies
- Abrév. fab.
INF
- Type
Canal N
- I(d)
57 A
- UBR DSS
100 V
- Puissance (max) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
25 mΩ
- R(DS)(on) Courant de référence
28 A
- Tension de référence R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Courant de référence max.
250 µA
- Q(G)
190 nC
- Q(G) Tension de référence
10 V
- C(ISS)
3000 pF
- Tension de référence C(ISS)
25 V
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Type de montage
trou traversant
- Série
HEXFET®
- Température de fonctionnement (max.)
+175 °C
- Caractéristique du transistor
Standard
- U(DSS)
100 V
- Canaux
1
- Contenu
1 pc(s)
- Description
100 V/51 A
Documents & téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 162653 Infineon Technologies IRFP3710PBF MOSFET 1 Canal N 200 W TO-247-3
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 162653 Infineon Technologies IRFP3710PBF MOSFET 1 Canal N 200 W TO-247-3
Description
Un transistor Mosfet est un composant commandé en tension qui peut directement être branché à des sources à haute impédance. Il convient donc bien à une utilisation comme commutateur ou amplificateur analogique. Ce transistor est compatible µC, TTL et CMOS. Remarque : fabricants SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.