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Infineon Technologies IRFB3307ZPBF MOSFET 1 Canal N 230 W TO-220AB
EAN :
N° réf. fabricant :
Code produit :
Type de produit
MOSFET
Boîtier
TO-220AB
Type
Canal N
Puissance (max) P(TOT)
230 W
R(DS)(on)
5.8 mΩ
Fiche technique (PDF)
84 pièce(s)
Nombre
Total (CHF 2.27 / pièce(s))
CHF 2.27
excl. TVA
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Droit de retour de 14 jours inclus (30 jours avec)
Points forts & détails
Transistor unipolaire (MOSFET)
Notre service pour vous
Caractéristiques techniques
- Type
IRFB3307ZPBF
- Type de produit
MOSFET
- Boîtier
TO-220AB
- Fabricant
Infineon Technologies
- Abrév. fab.
INF
- Type
Canal N
- I(d)
120 A
- UBR DSS
75 V
- Puissance (max) P(TOT)
230 W
- R(DS)(on)
5.8 mΩ
- R(DS)(on) Courant de référence
75 A
- Tension de référence R(DS)(on)
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Courant de référence max.
150 µA
- Q(G)
110 nC
- Q(G) Tension de référence
10 V
- C(ISS)
4750 pF
- Tension de référence C(ISS)
50 V
- Température de fonctionnement (min.)
-55 °C
- Type de montage
trou traversant
- Série
HEXFET®
- Température de fonctionnement (max.)
+175 °C
- Caractéristique du transistor
Standard
- U(DSS)
75 V
- Canaux
1
- Contenu
1 pc(s)
Documents & téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 160927 Infineon Technologies IRFB3307ZPBF MOSFET 1 Canal N 230 W TO-220AB
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 160927 Infineon Technologies IRFB3307ZPBF MOSFET 1 Canal N 230 W TO-220AB