Vishay IRF820PBF MOSFET 1 N-Kanal 50 W TO-220AB

Zwei schwarze, rechteckige elektronische Bauteile mit je drei Anschlussstiften rechts nebeneinander liegend, wahrscheinlich Transistoren.

Zwei schwarze, rechteckige elektronische Bauteile mit je drei Anschlussstiften rechts nebeneinander liegend, wahrscheinlich Transistoren.

Abbildung ähnlich

Produkt-Art

MOSFET

Gehäuse

TO-220AB

Ausführung

N-Kanal

Leistung (max) P(TOT)

50 W

R(DS)(on)

3 Ω

Datenblatt (PDF)

Sofort-Lieferung Di., 13. Okt.

177 Stück

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Highlights & Details

MOSFET (HEXFET /FETKY)

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Gehäuse

R(DS)(on) Referenz-Strom

R(DS)(on)

U(DSS)

Leistung (max) P(TOT)

C(ISS)

Montageart

Vishay IRF820PBF MOSFET 1 N-Kanal 50 W TO-220AB

Vishay IRF820PBF MOSFET 1 N-Kanal 50 W TO-220AB

Bestell-Nr.:162520

Sofort-Lieferung Di., 13. Okt.

177 StückConrad Electronic

Dieser Artikel

TO-220AB

1.5 A

3 Ω

500 V

50 W

360 pF

Durchführungsloch

Stück

Min.: 1

Vielfache: 1

CHF 1.45^*

Infineon Technologies IRF1310NPBF MOSFET 1 N-Kanal 160 W TO-220AB

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Bestell-Nr.:162368

Sofort-Lieferung Di., 13. Okt.

64 StückConrad Electronic

TO-220AB

22 A

36 mΩ

100 V

160 W

1900 pF

Durchführungsloch

Stück

Min.: 1

Vielfache: 1

CHF 1.15^*

Infineon Technologies IRF3710 MOSFET 1 N-Kanal 160 W TO-220AB

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Bestell-Nr.:162397

Sofort-Lieferung Di., 13. Okt.

22 StückConrad Electronic

TO-220AB

35 A

18 mΩ

100 V

160 W

2900 pF

Oberflächenmontage

Stück

Min.: 1

Vielfache: 1

CHF 1.20^*

Infineon Technologies IRF520NPBF MOSFET 1 N-Kanal 48 W TO-220

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Bestell-Nr.:162404

Sofort-Lieferung Di., 13. Okt.

2601 StückConrad Electronic

TO-220

5.7 A

200 mΩ

100 V

48 W

330 pF

Durchführungsloch

Stück

Min.: 3

Vielfache: 1

CHF 0.75^*

Infineon Technologies IRF530N MOSFET 1 N-Kanal 3.8 W TO-263-3

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Bestell-Nr.:162410

Sofort-Lieferung Di., 13. Okt.

781 StückConrad Electronic

TO-263-3

9 A

90 mΩ

100 V

3.8 W

920 pF

Oberflächenmontage

Stück

Min.: 3

Vielfache: 1

CHF 0.80^*

Infineon Technologies IRF540NPBF MOSFET 1 N-Kanal 130 W TO-220

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Bestell-Nr.:162412

Sofort-Lieferung Di., 13. Okt.

617 StückConrad Electronic

TO-220

16 A

44 mΩ

100 V

130 W

1960 pF

Durchführungsloch

Stück

Min.: 1

Vielfache: 1

CHF 0.75^*

Infineon Technologies IRF630N MOSFET 1 N-Kanal 82 W TO-263-3

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Bestell-Nr.:162421

Sofort-Lieferung Di., 13. Okt.

736 StückConrad Electronic

TO-263-3

5.4 A

300 mΩ

200 V

82 W

575 pF

Oberflächenmontage

Stück

Min.: 3

Vielfache: 1

CHF 0.45^*

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431 StückConrad Electronic

TO-220

11 A

150 mΩ

200 V

150 W

1160 pF

Durchführungsloch

Stück

Min.: 1

Vielfache: 1

CHF 0.80^*

Vishay IRF510PBF MOSFET 1 N-Kanal 43 W TO-220

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Bestell-Nr.:162402

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125 StückConrad Electronic

TO-220

3.4 A

540 mΩ

100 V

43 W

180 pF

Durchführungsloch

Stück

Min.: 1

Vielfache: 1

CHF 0.85^*

Vishay IRF610PBF MOSFET 1 N-Kanal 36 W TO-220

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Bestell-Nr.:162414

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96 StückConrad Electronic

TO-220

2 A

1.5 Ω

200 V

36 W

140 pF

Durchführungsloch

Stück

Min.: 3

Vielfache: 1

CHF 1.05^*

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 162520 Vishay IRF820PBF MOSFET 1 N-Kanal 50 W TO-220AB

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 162520 Vishay IRF820PBF MOSFET 1 N-Kanal 50 W TO-220AB

Beschreibung

Ein MOSFET-Transistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement und kann direkt an hochohmige Quellen angeschlossen werden. Er eignet sich daher für den Einsatz als Schalter oder Analogverstärker. Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.

Beschreibung

Ein MOSFET-Transistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement und kann direkt an hochohmige Quellen angeschlossen werden. Er eignet sich daher für den Einsatz als Schalter oder Analogverstärker. Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.

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1 kg = CHF 2'875.00

ESD-Abschirmbeutel mit Druckverschluss (L x B) 300 mm x 200 mm N/A Materialstärke (Details) 80 µm

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Zubehör

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ESD-Abschirmbeutel mit Druckverschluss (L x B) 300 mm x 200 mm N/A Materialstärke (Details) 80 µm

ESD-Abschirmbeutel mit Druckverschluss (L x B) 300 mm x 200 mm N/A Materialstärke (Details) 80 µm