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Infineon Technologies IRFU5305PBF MOSFET 1 P-Kanal 110 W I-PAK
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
I-PAK
Ausführung
P-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
110 W
R(DS)(on)
65 mΩ
Datenblatt (PDF)
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
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314 Stück
Anzahl
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Highlights & Details
HEXFET/FETKY
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Technische Daten
- Typ
IRFU5305PBF
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
I-PAK
- Hersteller
Infineon Technologies
- Herst.-Abk.
INF
- Ausführung
P-Kanal
- I(d)
31 A
- U
55 V
- Leistung (max) P(TOT)
110 W
- R(DS)(on)
65 mΩ
- R(DS)(on) Referenz-Strom
16 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
- Q(G)
63 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
10 V
- C(ISS)
1200 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Durchführungsloch
- Serie
HEXFET®
- Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor-Merkmal
Standard
- U(DSS)
55 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 162729 Infineon Technologies IRFU5305PBF MOSFET 1 P-Kanal 110 W I-PAK
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 162729 Infineon Technologies IRFU5305PBF MOSFET 1 P-Kanal 110 W I-PAK
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