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ON Semiconductor RFP12N10L MOSFET 1 N-Kanal 60 W TO-220AB
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-220AB
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
60 W
R(DS)(on)
200 mΩ
Datenblatt (PDF)
612 Stück
Anzahl
Gesamt (CHF 1.15 / Stück)
CHF 1.15
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Highlights & Details
MOSFET, N Kanal
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
RFP12N10L
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-220AB
- Hersteller
ON Semiconductor
- Herst.-Abk.
OnS
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
12 A
- U
100 V
- Leistung (max) P(TOT)
60 W
- R(DS)(on)
200 mΩ
- R(DS)(on) Referenz-Strom
12 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
2 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
- C(ISS)
900 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Durchführungsloch
- Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
- Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
- U(DSS)
100 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 151623 ON Semiconductor RFP12N10L MOSFET 1 N-Kanal 60 W TO-220AB
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 151623 ON Semiconductor RFP12N10L MOSFET 1 N-Kanal 60 W TO-220AB
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