Infineon Technologies IRFR3410PBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 110 W TO-252AA
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-252AA
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
110 W
R(DS)(on)
0.039 Ω
Datenblatt (PDF)
40 Stück (Nur solange der Vorrat reicht)
Anzahl
Gesamt (CHF 0.70 / Stück)
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Highlights & Details
INFI SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet IRFR
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
IRFR3410PBF-GURT
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-252AA
- Hersteller
Infineon Technologies
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
31 A
- U
100 V
- Leistung (max) P(TOT)
110 W
- R(DS)(on)
0.039 Ω
- Montageart
Durchführungsloch
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3026271 Infineon Technologies IRFR3410PBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 110 W TO-252AA
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3026271 Infineon Technologies IRFR3410PBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 110 W TO-252AA
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