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Conrad
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Infineon Technologies IRF3205 MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220AB

Zwei schwarze, rechteckige elektronische Bauteile mit je drei Anschlussstiften rechts nebeneinander liegend, wahrscheinlich Transistoren.
Abbildung ähnlich
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-220AB
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
8 mΩ
Datenblatt (PDF)
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
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Highlights & Details

MOSFET, N-Kanal

Unser Service für Sie

Technische Daten

Typ

IRF3205

Produkt-Art

MOSFET

Gehäuse

TO-220AB

Hersteller

Infineon Technologies

Herst.-Abk.

INF

Ausführung

N-Kanal

I(d)

110 A

U

55 V

Leistung (max) P(TOT)

200 W

R(DS)(on)

8 mΩ

R(DS)(on) Referenz-Strom

62 A

R(DS)(on) Referenz-Spannung

10 V

U(GS)(th) max.

4 V

U(GS)(th) Referenz-Strom max.

250 µA

Q(G)

146 nC

Q(G) Referenz-Spannung

10 V

C(ISS)

3247 pF

C(ISS) Referenz-Spannung

25 V

Betriebstemperatur (min.)

-55 °C

Montageart

Oberflächenmontage

Serie

HEXFET®

Betriebstemperatur (max.)

+175 °C

Transistor-Merkmal

Standard

U(DSS)

55 V

Kanäle

1

Inhalt

1 St.

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 158712 Infineon Technologies IRF3205 MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220AB

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 158712 Infineon Technologies IRF3205 MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220AB

Beschreibung

Ein MOSFET-Transistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement und kann direkt an hochohmige Quellen angeschlossen werden. Er eignet sich daher für den Einsatz als Schalter oder Analogverstärker. Dieser Transistor ist µC-, TTL- und CMOS-kompatibel. Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.

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(*Alle Angaben sind zzgl. gesetzl. MwSt)
Gesamtpreis:

CHF 4.35*

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