Diotec Transistor (BJT) - diskret 2N5551 TO-92 NPN

Elektronischer Transistor im TO-92-Gehäuse mit drei Anschlussdrähten, typisches Bauteil in elektronischen Schaltungen.

Abbildung ähnlich

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

TO-92

Ausführung

NPN

Collector-Strom I(C)

600 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

160 V

Datenblatt (PDF)

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Highlights & Details

BJT, TO-92, 160V, 600mA, NPN

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Technische Daten

Typ: Wire-lead
Gehäuse: TO-92
Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 160 V
DC Kollektorstrom - IC: 600 mA
Polarität - pol: NPN
Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
Verlustleistung - Ptot: 0.625 W
Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 80
VCE: 5 V
IC: 10 mA
Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 200 mV
IC: 50 mA
IB: 5 mA
Transitfrequenz - ft: 100 MHz
IC: 10 mA
VCE: 10 V
f: 100 MHz

Typ: 2N5551

Produkt-Art: Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse: TO-92

Hersteller: Diotec

Ausführung: NPN

Collector-Strom I(C): 600 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 160 V

VCE Sättigung (max.): 200 mV

Leistung (max) P(TOT): 0.625 W

DC Stromverstärkung (hFE): 80

Transitfrequenz f(T): 100 MHz

Montageart: Durchsteckmontage

RoHS-konform: Ja

Inhalt: 1 St.

Betriebstemperatur (max.): 150 °C

UKCA: Ja

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 2808998 Diotec Transistor (BJT) - diskret 2N5551 TO-92 NPN

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2808998 Diotec Transistor (BJT) - diskret 2N5551 TO-92 NPN

Beschreibung

Bipolarer Transistor, Typ=2N5551, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=1 V, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=6 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=250, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=180 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=160 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=200 mV, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=600 mA, Leistungsverteilung (PV)=625 mW, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Übergangsfrequenz=300 MHz, Bauform=TO-92, Konfiguration=Einfach, Montageart=Durchsteckmontage, Transistor-Polarität=NPN, Verpackung=Gurtware