ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret bipolar 0,625W TO92 30V Darlington 1,2A Transistor: NPN TO-92 NPN Tape
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Verpackungsart
Tape
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-92
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
1.2 A
Datenblatt (PDF)
1182 Stück
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Highlights & Details
ONS Darlington-Kleinleistungstransistore
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Technische Daten
- Verpackungsart
Tape
- Typ
bipolar 0,625W TO92 30V Darlington 1,2A Transistor: NPN
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-92
- Hersteller
ON Semiconductor
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
1.2 A
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
30 V
- Leistung (max) P(TOT)
0.625 W
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
30 µA
- Montageart
Durchführungsloch
- Inhalt
1 St.
- UKCA
Ja
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3027529 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret bipolar 0,625W TO92 30V Darlington 1,2A Transistor: NPN TO-92 NPN Tape
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3027529 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret bipolar 0,625W TO92 30V Darlington 1,2A Transistor: NPN TO-92 NPN Tape
Beschreibung
Gehäuse: TO92
Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Kollektor-Emitter-Strom: 1,2A
Montage: THT
Polarisierung: bipolar
Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Kollektor-Emitter-Strom: 1,2A
Montage: THT
Polarisierung: bipolar