Name: Diotec Transistor (BJT) - diskret DI2579N SOT-223 NPN
Brand: Diotec
SKU: 2809617
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Ein schwarzes elektronisches Bauteil im SOT-223-Gehäuse, mit vier metallischen Anschlüssen.

Abbildung ähnlich

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

SOT-223

Ausführung

NPN

Collector-Strom I(C)

1000 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

700 V

Datenblatt (PDF)

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Highlights & Details

BJT, SOT-223, 700V, 1000mA, NPN

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Technische Daten

Typ: SMD
Gehäuse: SOT-223
Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 700 V
DC Kollektorstrom - IC: 1000 mA
Polarität - pol: NPN
Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
Verlustleistung - Ptot: 1.250 W
Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 20
VCE: 5 V
IC: 350 mA
Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 1000 mV
IC: 350 mA
IB: 50 mA
Transitfrequenz - ft: 0 MHz
IC: 0 mA
VCE: 0 V
f: 0 MHz

Typ: DI2579N

Produkt-Art: Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse: SOT-223

Hersteller: Diotec

Ausführung: NPN

Collector-Strom I(C): 1000 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 700 V

VCE Sättigung (max.): 1000 mV

Leistung (max) P(TOT): 1.25 W

DC Stromverstärkung (hFE): 20

Transitfrequenz f(T): 0 MHz

Montageart: Oberflächenmontage

RoHS-konform: Ja

Inhalt: 1 St.

Betriebstemperatur (max.): 150 °C

UKCA: Ja

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 2809617 Diotec Transistor (BJT) - diskret DI2579N SOT-223 NPN

Beschreibung

Bipolarer Transistor, Typ=DI2579N, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=1 V, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=9 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=30, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=-999, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=400 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=1 V, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=1 A, Leistungsverteilung (PV)=1.25 W, Pins=4, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Übergangsfrequenz=-999, Bauform=SOT-223, Konfiguration=Einfach, MSL=Stufe-1, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=NPN, Verpackung=Band & Rolle