Name: Diotec Transistor (BJT) - diskret BCW66F SOT-23 NPN
Brand: Diotec
SKU: 2809322
Availability: BackOrder

Zwei schwarze elektronische Bauteile im SOT-23-Gehäuse mit drei Anschlüssen.

Abbildung ähnlich

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

SOT-23

Ausführung

NPN

Collector-Strom I(C)

600 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

45 V

Datenblatt (PDF)

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Highlights & Details

BJT, SOT-23, 45V, 600mA, NPN

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Technische Daten

Typ: SMD
Gehäuse: SOT-23
Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 45 V
DC Kollektorstrom - IC: 600 mA
Polarität - pol: NPN
Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
Verlustleistung - Ptot: 0.300 W
Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 160
VCE: 1 V
IC: 100 mA
Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 700 mV
IC: 500 mA
IB: 50 mA
Transitfrequenz - ft: 170 MHz
IC: 50 mA
VCE: 5 V
f: 100 MHz

Typ: BCW66F

Produkt-Art: Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse: SOT-23

Hersteller: Diotec

Ausführung: NPN

Collector-Strom I(C): 600 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 45 V

VCE Sättigung (max.): 700 mV

Leistung (max) P(TOT): 0.3 W

DC Stromverstärkung (hFE): 160

Transitfrequenz f(T): 100 MHz

Montageart: Oberflächenmontage

RoHS-konform: Ja

Inhalt: 1 St.

Betriebstemperatur (max.): 150 °C

UKCA: Ja

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Datenblatt

Datenblatt 2809322 Diotec Transistor (BJT) - diskret BCW66F SOT-23 NPN

Beschreibung

Bipolarer Transistor, Typ=BCW66F, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=2 V, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=160, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=75 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=45 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=700 mV, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=600 mA, Leistungsverteilung (PV)=250 mW, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Übergangsfrequenz=100 MHz, Bauform=SOT-23, Konfiguration=Einfach, MSL=Stufe-1, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=NPN, Verpackung=Band & Rolle