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Diotec Transistor (BJT) - diskret 2SA1012R TO-252AA PNP
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-252AA
Ausführung
PNP
Collector-Strom I(C)
-5000 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
-50 V
Datenblatt (PDF)
2362 Stück
Anzahl
Min.: 10
Gesamt (CHF 0.86 / Stück)
CHF 8.61
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Highlights & Details
BJT, DPAK, -50V, -5000mA, PNP
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ: SMD
- Gehäuse: TO-252AA/D-PAK
- Kollektor Emitter Spannung - VCEO: -50 V
- DC Kollektorstrom - IC: -5000 mA
- Polarität - pol: PNP
- Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
- Verlustleistung - Ptot: 5.000 W
- Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 150
- VCE: -1 V
- IC: -1000 mA
- Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 400 mV
- IC: -3 mA
- IB: -150 mA
- Transitfrequenz - ft: 60 MHz
- IC: -1 mA
- VCE: -4 V
- f: 1 MHz
- Typ
2SA1012R
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-252AA
- Hersteller
Diotec
- Ausführung
PNP
- Collector-Strom I(C)
-5000 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
-50 V
- VCE Sättigung (max.)
400 mV
- Leistung (max) P(TOT)
5 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
150
- Transitfrequenz f(T)
1 MHz
- Montageart
Oberflächenmontage
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 2809006 Diotec Transistor (BJT) - diskret 2SA1012R TO-252AA PNP
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2809006 Diotec Transistor (BJT) - diskret 2SA1012R TO-252AA PNP