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Diotec DI010N03PW MOSFET N-Kanal 1.4 W PowerQFN 2x2
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
PowerQFN 2x2
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
1.4 W
R(DS)(on) Referenz-Strom
0.416666666666667 A
Datenblatt (PDF)
3984 Stück
Anzahl
Min.: 10
Gesamt (CHF 0.21 / Stück)
CHF 2.08
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Highlights & Details
MOSFET, PowerQFN 2x2, 30V, 10A, 150°C, N
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Technische Daten
- Typ: SMD
- Gehäuse: PowerQFN 2x2
- Drain-Source-Spannung - VDS: 30 V
- Drainstrom - ID: 10.000 A
- Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
- Polarität - pol: N
- Verlustleistung - Ptot: 1.400 W
- Drain-Spitzenstrom - IDM: 50.000 A
- Schwellspannung - VGSth: 2.0 V
- Einschaltwiderstand - RDSon: 0.0120 Ω
- ID: 0.416666666666667
- VGS: 10 V
- Einschaltzeit - ton: 16 ns
- Ausschaltzeit - toff: 16 ns
- Typ
DI010N03PW
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
PowerQFN 2x2
- Hersteller
Diotec
- Herst.-Abk.
DIO
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
10 A
- Leistung (max) P(TOT)
1.4 W
- R(DS)(on) Referenz-Strom
0.416666666666667 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- Montageart
Oberflächenmontage
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
- U(DSS)
30 V
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 2809549 Diotec DI010N03PW MOSFET N-Kanal 1.4 W PowerQFN 2x2
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2809549 Diotec DI010N03PW MOSFET N-Kanal 1.4 W PowerQFN 2x2
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