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ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret BD13716STU TO-126-3 1 NPN
EAN :
N° réf. fabricant :
Code produit :
Type de produit
Transistor (BJT) - Discret
Boîtier
TO-126-3
Type
NPN
Courant du collecteur CI
1.5 A
Tension - Collecteur-émetteur max.
60 V
Fiche technique (PDF)
12850 pièce(s)
Nombre
Min.: 5
Total (CHF 0.65 / pièce(s))
CHF 3.25
excl. TVA
Livraison gratuite avec
Droit de retour de 14 jours inclus (30 jours avec)
Points forts & détails
Transistor bipolaire de puissance standard
- ON Semiconductor BD13716STU
- Type de boîtier (semi-conducteur): TO-126-3
- Contenu: 1 pc(s)
Notre service pour vous
Caractéristiques techniques
- Type
BD13716STU
- Type de produit
Transistor (BJT) - Discret
- Boîtier
TO-126-3
- Fabricant
ON Semiconductor
- Abrév. fab.
OnS
- Canaux
1
- Type
NPN
- Courant du collecteur CI
1.5 A
- Tension - Collecteur-émetteur max.
60 V
- Saturation VCE (max.)
500 mV
- Collecteur courant résiduel I(CES)
100 nA
- Puissance (max) P(TOT)
1.25 W
- Gain à courant DC (hFE)
100
- Gain en courant DC hFE - Courant de référence
150 mA
- Puissance courant DC hFE - tension de référence
2 V
- Type de montage
trou traversant
- Contenu
1 pc(s)
Documents & téléchargements
Fiche technique
Fiche technique 151036 ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret BD13716STU TO-126-3 1 NPN
Conseils d'utilisation et de sécurité
Conseils d'utilisation et de sécurité 151036 ON Semiconductor Transistor (BJT) - Discret BD13716STU TO-126-3 1 NPN
Description
Transistors bipolaires leaders du marché de l'électronique Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet.
Avertissement
Fabricant SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.