Vishay IRFU9024PBF MOSFET 1 P-Kanal 42 W Tube – Conrad Electronic Schweiz | Conrad CH (DE)

Vishay IRFU9024PBF MOSFET 1 P-Kanal 42 W Tube-0

Vishay IRFU9024PBF MOSFET 1 P-Kanal 42 W Tube-0

Verpackungsart

Tube

Produkt-Art

MOSFET

Ausführung

P-Kanal

Leistung (max) P(TOT)

42 W

R(DS)(on)

0.28 Ω

Datenblatt (PDF)

Vishay

Lieferung Do., 5. Nov.

675 Stück

Anzahl

Stück

Min.: 25

Vielfache: 25

Gesamt (CHF 0.61 / Stück)

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Highlights & Details

Vishay Leistungs-MOSFETs IRFU_ TO251AA

Unser Service für Sie

Technische Daten

Verpackungsart: Tube

Typ: IRFU9024PBF

Produkt-Art: MOSFET

Hersteller: Vishay

Herst.-Abk.: VIS

Ausführung: P-Kanal

I(d): -8.8 A

U: -60 V

Leistung (max) P(TOT): 42 W

R(DS)(on): 0.28 Ω

Betriebstemperatur (min.): -55 °C

Montageart: Durchführungsloch

Betriebstemperatur (max.): 150 °C

U(DSS): -60 V

Kanäle: 1

Inhalt: 1 St.

Höhe: 0.00 mm

Länge: 0 mm

Breite: 0.00 mm

Gewicht: 0

UKCA: Ja

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 3026527 Vishay IRFU9024PBF MOSFET 1 P-Kanal 42 W Tube

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3026527 Vishay IRFU9024PBF MOSFET 1 P-Kanal 42 W Tube

Beschreibung

MOSFET, Typ=IRFU9024PBF, Abfallzeit=29 ns, Anstiegzeit=68 ns, Ausschaltverzögerung=15 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=-60 V, Einschaltverzögerung=13 ns, Gate-Source-Spannung=20 V, Kontinuierlicher Drain-Strom (Id)=-8.8 A, Leistungsverteilung (PV)=42 W, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=-999, Widerstand EIN (Rds(On))=280 mΩ, Bauform=I-PAK, Konfiguration=Einfach, Montageart=Durchsteckmontage, Transistor-Polarität=P-Kanal

Beschreibung

MOSFET, Typ=IRFU9024PBF, Abfallzeit=29 ns, Anstiegzeit=68 ns, Ausschaltverzögerung=15 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=-60 V, Einschaltverzögerung=13 ns, Gate-Source-Spannung=20 V, Kontinuierlicher Drain-Strom (Id)=-8.8 A, Leistungsverteilung (PV)=42 W, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=-999, Widerstand EIN (Rds(On))=280 mΩ, Bauform=I-PAK, Konfiguration=Einfach, Montageart=Durchsteckmontage, Transistor-Polarität=P-Kanal

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